AF9410N
n-频道 enhancement 模式 电源 场效应晶体管
anachip corp.
www.anachip.com.tw rev. 1.3 非v 19, 2004
2/5
绝对 maximum 比率
标识 参数 比率 单位
V
DS
流-源 电压 30 V
V
GS
门-源 电压 ±25 V
T
一个
=25ºc 9.6
I
D
持续的 流 电流
(便条 1)
T
一个
=70ºc 7.7
一个
I
DM
搏动 流 电流
(便条 2)
40 一个
总的 电源 消耗 2.5 W
P
D
直线的 减额 因素
T
一个
=25ºC
0.02 w/ºc
T
STG
存储 温度 范围 -55 至 150 ºC
T
J
运行 接合面 温度 范围 -55 至 150 ºC
热的 数据
标识 参数
最大
单位
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的
(便条 1)
最大值 50 ºc/w
电的 特性
在 t
J
=25ºc 除非 否则 指定
标识 参数 测试 情况 最小值 Typ. 最大值 单位
BV
DSS
流-源 损坏 电压 V
GS
=0v, i
D
=250ua 30 - - v
∆
BV
DSS
/
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
涉及 至 25
o
c,
I
D
=1mA
- 0.04 - v/
o
C
V
GS
=10v, i
D
=9a - - 18
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
(便条 3)
V
GS
=4.5v, i
D
=7a - - 28
m
Ω
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
=V
GS
, i
D
=250ua 1 - 3 v
g
fs
向前 跨导 V
DS
=10v, i
D
=9a - 13 - s
流-源 泄漏 电流
(t
J
=25
o
c)
V
DS
=30v, v
GS
=0v - - 1
I
DSS
流-源 泄漏 电流
(t
J
=70
o
c)
V
DS
=24v, v
GS
=0v - - 25
uA
I
GSS
门-源 泄漏 V
GS
=±25v - - ±100 nA
Q
g
总的 门 承担
(便条 3)
- 11 18
Q
gs
门-源 承担 - 3 -
Q
gd
门-流 (“miller”) 承担
I
D
=9a,
V
DS
=20v,
V
GS
=4.5v
- 7 -
nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
(便条 3)
- 10 -
t
r
上升 时间 - 6 -
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 - 23 -
t
f
下降-时间
V
DS
=15v,
I
D
=1a,
R
G
=3.3
Ω
, v
GS
=10V
R
D
=15
Ω
- 7 -
ns
C
iss
输入 电容 - 840 1350
C
oss
输出 电容 -190 -
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f=1.0mhz
- 140 -
pF
R
G
门 阻抗 f=1.0mhz - 1.4 -
Ω
源-流 二极管
标识 参数 测试 情况 最小值 Typ. 最大值
单位
V
SD
向前 在 电压
(便条 3)
I
S
=2.1a, v
GS
=0v - - 1.2 v
t
rr
反转 恢复 时间 - 18 -ns
Q
rr
反转 恢复 承担
I
S
=9a, v
GS
=0v,
dl/dt=100a/µs
- 8 - nc
便条 1:
表面 挂载 在 1 在
2
铜 垫子 的 fr4 板, t
≤
10 秒; 125
o
c/w 当 挂载 在 最小值 铜 垫子.
便条 2:
脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
便条 3:
脉冲波 宽度
≤
300us, 职责 循环
≤
2%.
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