首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:132036
 
资料名称:ALD1121E
 
文件大小: 55.46K
   
说明
 
介绍:
QUAD/DUAL EPAD PRECISION MATCHED PAIR N-CHANNEL MOSFET ARRAY
 
 


: 点此下载
  浏览型号ALD1121E的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号ALD1121E的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号ALD1121E的Datasheet PDF文件第3页
3

4
浏览型号ALD1121E的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号ALD1121E的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号ALD1121E的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号ALD1121E的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ald1123e/ald1121e 先进的 直线的 设备 4
e-修整 特性
T
一个
= 25
°
c v
+
= +5.0v 除非 否则 指定
ALD1123E ALD1121E 测试
参数 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 情况
e-修整 v
t
范围
4
V
t
1.000 3.000 1.000 3.000 V
决议 的 v
t
e-修整 脉冲波 步伐
4
RV
t
0.1 1 0.1 1 mV
改变 在 v
t
V
t
/ n 0.5 0.5 mv/ 脉冲波 V
t
= 1.0v
e-修整 脉冲波
4
0.05 0.05 V
t
= 2.5v
e-修整 脉冲波 电压
4
Vp 11.75 12.00 12.25 11.75 12.00 12.25 V
e-修整 脉冲波 电流
4
Ip 2 2 毫安
脉冲波 频率
4
ƒ 脉冲波 50 50 KH
Z
跨导 gm 1.4 1.4 毫安/v V
D
= 10v,v
G
=V
t
+ 4.0
跨导 相一致
gm 25 25
µ
一个/v V
D
= 10v,v
G
=V
t
+ 4.0
低 水平的 输出
Conductance g
OL
66
µ
一个/v V
G
= v
t
+0.5v
高 水平的 输出
Conductance g
OH
68 68
µ
一个/v V
G
= v
t
+4.0v
流 止 泄漏 电流 I
d(止)
5 400 5 400 pA
44nAT
一个
= 125
°
C
门 泄漏 电流 I
GSS
10 100 10 100 pA
11nAT
一个
= 125
°
C
输入 电容 C
ISS
25 25 pF
交叉 表达 60 60 dB f = 100khz
relaxation 时间 常量
4
t
RLX
2 2 小时
relaxation 电压
4
V
RLX
-0.3 -0.3 % 1.0v
V
t
3.0v
运行 电的 特性 (内容'd)
T
一个
= 25
°
c v
+
= +5.0v 除非 否则 指定
ALD1123E ALD1121E 测试
参数 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 情况
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com