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资料编号:132036
 
资料名称:ALD1121E
 
文件大小: 55.46K
   
说明
 
介绍:
QUAD/DUAL EPAD PRECISION MATCHED PAIR N-CHANNEL MOSFET ARRAY
 
 


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ald1123e/ald1121e 先进的 直线的 设备 7
典型 效能 特性
改变 在 差别的 门槛
电压 vs. 包围的 温度
+10
+8
+6
+4
+2
-2
0
-10
改变 在 差别的
thresholdvoltage (mv)
-50 -25 0 25 50 12510075
包围的 温度 (
°
c)
-8
-6
-4
代表 单位
门 源 电压 vs. 流
源 在 电流
流 源 在 电流 (
µ
一个)
5
4
3
2
1
0
门 源 电压 (v)
0.1
1
10010 1000 10000
V
DS
= 0.5v
T
一个
= +125
°
C
V
DS
= 0.5v
T
一个
= +25
°
C
V
DS
= 5v
T
一个
= +25
°
C
V
DS
= 5v
T
一个
= +125
°
C
V
DS
I
ds(在)
D
V
GS
S
V
DS
= r
• i
ds(在)
流 源 在 电流, 偏差
电流 vs. 包围的 温度
门 和 流 源 电压
(vgs = vds) (v)
5
4
3
2
1
0
流 源 在 电流
(毫安)
543210
70
°
C
125
°
C
-25
°
C
0
°
C
-55
°
C
流 源 在 电流, 偏差
电流 vs. 包围的 温度
门 和 流 源 电压
(vgs = vds) (v)
100
50
0
1.81.0
1.2
2.0
1.6
1.4
流 源 在 电流
(
µ
一个)
零 温度
系数 (ztc)
{
{
{
V
t
= 1.2v
V
t
= 1.4v
V
t
= 1.0v
- 25
°
C
- 25
°
C
- 25
°
C
ZTC
125
°
C
125
°
C
ZTC
125
°
C
流 源 在 电流 vs.
输出 电压
5
4
3
2
1
0
543210
T
一个
= -55
°
C
T
一个
= +50
°
C
流 源 在 电流
(毫安)
输出 电压
(v)
T
一个
= 0
°
C
V
t
= 1.000v
V
DS
= v
GS
T
一个
= +125
°
C
流 源 在 电流, 偏差
电流 vs. 在 - 阻抗
在 - 阻抗 (k
)
0.1 1.0 10010 1000 10000
流 源 在 电流,
偏差 电流 (
µ
一个)
0.1
1.0
100
10
1000
10000
V
DS
= r
• i
ds(在)
V
GS
= +0.9v 至 +5.0v
V
DS
= 5.0v
V
DS
= 0.5v
V
DS
D
V
GS
S
I
ds(在)
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