2 Am42BDS640AG
十一月 1, 2002
初步的
一般 描述
这 am29bds640g 是 一个 64 mbit, 1.8 volt-仅有的, simulta-
neous 读/写, burst 模式 flash 记忆 设备, orga-
nized 作 4,194,304 words 的 16 位 各自. 这个 设备 使用
一个 单独的 v
CC
的 1.65 至 1.95 v 至 读, 程序, 和 擦掉
这 记忆 排列. 一个 12.0-volt v
ID
将 是 使用 为 faster pro-
gram 效能 如果 desired. 这 设备 能 也 是 pro-
grammed 在 标准 非易失存储器 programmers.
在 54 mhz, 这 设备 提供 一个 burst 进入 的 13.5 ns 在
30 pf 和 一个 latency 的 87.5 ns 在 30 pf. 在 40 mhz, 这 de-
恶行 提供 一个 burst 进入 的 20 ns 在 30 pf 和 一个 latency
的 95 ns 在 30 pf. 这 设备 运作 在里面 这 工业的
温度 范围 的 -40°c 至 +85°c. 这 设备 是 offered
在 一个 93-球 fbga 包装.
这 同时发生的 读/写 architecture 提供
simul-
taneous 运作
用 dividing 这 记忆 空间 在 四
banks. 这 设备 能 改进 整体的 系统 效能
用 准许 一个 host 系统 至 程序 或者 擦掉 在 一个 bank,
然后 立即 和 同时发生地 读 从 另一
bank, 和 零 latency. 这个 releases 这 系统 从 wait-
ing 为 这 completion 的 程序 或者 擦掉 行动.
这 设备 是 分隔 作 显示 在 这 下列的 表格:
这 设备 使用 碎片 使能 (ce#), 写 使能 (we#),
地址 有效的 (avd#) 和 输出 使能 (oe#) 至 控制
异步的 读 和 写 行动. 为 burst opera-
tions, 这 设备 additionally 需要 准备好 (rdy), 和
时钟 (clk). 这个 implementation 准许 容易 接口 和
minimal glue 逻辑 至 一个 宽 范围 的 微处理器/微观的-
控制者 为 高 效能 读 行动.
这 burst 读 模式 特性 给 系统 designers flexibil-
ity 在 这 接口 至 这 设备. 这 用户 能 preset 这
burst 长度 和 wrap 通过 这 一样 记忆 空间, 或者
读 这 flash 排列 在 持续的 模式.
这 时钟 极性 特性 provides 系统 designers 一个
选择 的 起作用的 时钟 edges, 也 rising 或者 下落. 这 交流-
tive 时钟 边缘 initiates burst accesses 和 确定
当 数据 将 是 输出.
这 设备 是 全部地 command 设置 兼容 和 这
电子元件工业联合会 42.4 单独的-电源-供应 flash 标准
. com-
mands 是 写 至 这 command 寄存器 使用 标准
微处理器 写 定时. 寄存器 内容 提供 作 在-
puts 至 一个 内部的 状态-机器 那 控制 这 擦掉 和
程序编制 电路系统. 写 循环 也 内部 获得 ad-
dresses 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉
行动. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的 至 读-
ing 从 其它 flash 或者 非易失存储器 设备.
这
擦掉 suspend/擦掉 重新开始
特性 使能 这
用户 至 放 擦掉 在 支撑 为 任何 时期 的 时间 至 读 数据
从, 或者 程序 数据 至, 任何 sector 那 是 不 选择 为
erasure. 真实 background 擦掉 能 因此 是 达到.
这
硬件 reset# 管脚
terminates 任何 运作 在
progress 和 resets 这 内部的 状态 机器 至 读
排列 数据. 这 reset# 管脚 将 是 系 至 这 系统 重置
电路系统. 一个 系统 重置 将 因此 也 重置 这 设备,
enabling 这 系统 微处理器 至 读 激励-向上 firm-
ware 从 这 flash 记忆 设备.
这 host 系统 能 发现 whether 一个 程序 或者 擦掉 运算-
限定 是 完全 用 使用 这 设备 状态 位 dq7
(data# polling) 和 dq6/dq2 (toggle bits). 之后 一个 程序
或者 擦掉 循环 有 被 完成, 这 设备 automatically
returns 至 读 排列 数据.
这
sector 擦掉 architecture
准许 记忆 sectors 至 是
erased 和 reprogrammed 没有 影响 这 数据 con-
tents 的 其它 sectors. 这 设备 是 全部地 erased 当
运输 从 这 工厂.
硬件 数据 保护
measures 包含 一个 低 v
CC
de-
tector 那 automatically inhibits 写 行动 在
电源 transitions. 这 设备 也 提供 二 类型 的 数据
保护 在 这 sector 水平的. 这
sector 锁/unlock com-
mand sequence
使不能运转 或者 re-使能 两个都 程序 和
擦掉 行动 在 任何 sector. 当 在 v
IL
,
WP#
locks 秒-
tors 0 和 1 (bottom 激励 设备) 或者 sectors 132 和 133
(顶 激励 设备).
这 设备 提供 二 电源-节省 特性. 当 ad-
dresses 有 被 稳固的 为 一个 指定 数量 的 时间, 这
设备 enters 这
自动 睡眠 模式
. 这 系统 能
也 放置 这 设备 在 这
备用物品 模式
. 电源 con-
sumption 是 非常 减少 在 两个都 模式.
amd’s flash 技术 结合 年 的 flash 记忆
制造 experience 至 生产 这 最高的 水平 的
质量, 可靠性 和 费用 成效. 这 设备 electri-
cally erases 所有 位 在里面 一个 sector 同时发生地 通过
fowler-nordheim tunnelling. 这 数据 是 编写程序 使用
hot electron injection.
Bank Quantity 大小
一个
4 8 kwords
31 32 kwords
B 32 32 kwords
C 32 32 kwords
D
31 32 kwords
4 8 kwords
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