初步的
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product 没有 注意.
Publication#
26445
rev:
B
amendment/
0
公布 日期:
十一月 1, 2002
谈及 至 amd’s 网站 (www.amd.com) 为 这 最新的 信息.
Am42BDS640AG
stacked multi-碎片 包装 (mcp) flash 记忆 和 sram
am29bds640g 64 megabit (4 m x 16-位) cmos1.8 volt-仅有的, simultaneous 运作,
burst 模式 flash 记忆 和 16 mbit (1 m x 16-位) 静态的 内存
distinctive 特性
mcp 特性
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电源 供应 电压 的 1.65 至 1.95 volt
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高 效能
— 进入 时间 作 快 作 70 ns
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包装
— 93-球 fbga
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运行 温度
— –40°c 至 +85°c
flash 记忆 特性
architectural 有利因素
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单独的 1.8 volt 读, 程序 和 擦掉 (1.65 至 1.95 volt)
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制造的 在 0.17 µm 处理 技术
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同时发生的 读/写 运作
— 数据 能 是 continuously 读 从 一个 bank 当
executing 擦掉/程序功能 在 其它 bank
— 零 latency 在 读 和 写 行动
— 四 bank architecture: 16mb/16mb/16mb/16mb
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可编程序的 burst 接口
— 2 模式 的 burst 读 运作
— 直线的 burst: 8, 16, 和 32 words 和 wrap-周围
— 持续的 sequential burst
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sector architecture
— 第八 8 kword sectors 和 一个 hundred twenty-六 32
kword sectors
— banks 一个 和 d 各自 包含 四 8 kword sectors 和
thirty-一个 32 kword sectors;banks b 和 c 各自 包含
thirty-二 32 kword sectors
— 第八 8 kword 激励 sectors, 四 在 这 顶 的 这 地址
范围, 和 四 在 这 bottom 的 这 地址 范围
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最小 1 million 擦掉 循环 保证 每 sector
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20-年 数据 保持 在 125°c
效能 charcteristics
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读 进入 时间 在 54/40 mhz
— burst 进入 时间 的 13.5/20 ns @ 30 pf 在 工业的
温度 范围
— 异步的 随机的 进入 时间 的 70 ns (在 30 pf)
— 同步的 latency 的 87.5/95 ns
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电源 消耗 (典型 值, c
L
= 30 pf)
— burst 模式 读: 10 毫安
— 同时发生的 运作: 25 毫安
— 程序/擦掉: 15 毫安
— 备用物品 模式: 0.2 µa
硬件 特性
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软件 command sector locking
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handshaking: host monitors 行动 通过 rdy 输出
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硬件 重置 输入 (reset#)
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wp# 输入
— 写 保护 (wp#) 函数 保护 sectors 0, 1 (bottom
激励) 或者 sectors 132 和 133 (顶 激励), regardless 的 sector
保护 状态
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acc 输入: acceleration 函数 减少 程序编制
时间; 所有 sectors 锁 当 acc = v
IL
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cmos 兼容 输入, cmos 兼容 输出
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低 v
CC
写 inhibit
软件 特性
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支持 一般 flash 记忆 接口 (cfi)
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软件 command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 42.4
standards
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data# polling 和 toggle 位
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擦掉 suspend/重新开始
— suspends 或者 重新开始 一个 擦掉 运作 在 一个 sector 至
读 数据 从, 或者 程序数据 至, 其它 sectors
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unlock 绕过 程序 command
— 减少 整体的 程序编制 时间 当 issuing 多样的
程序 command sequences
sram 特性
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电源 消耗
— 运行: 3 毫安 最大
— 备用物品: 15 µa 最大
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ce1s# 和 ce2s 碎片 选择
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电源 向下 特性 使用 ce1s# 和 ce2s
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数据 保持 供应 电压: 1.0 至 2.2 volt
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字节 数据 控制: lb#s (dq7–dq0), ub#s (dq15–dq8)
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