PRoduct 预告(展)
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AUTOMOTIVE
®
4.0 地址 编排
5.0 电的 特性
表格 5. 地址 编排
十六进制
地址
范围
描述
寻址
模式
FFFF
8000
外部 设备 (记忆 或者 i/o) 连接 至 地址/数据 总线 间接的 或者 indexed
7FFF
2080
程序 记忆 (内部的 nonvolatile 或者 外部 记忆); 看
便条 1
间接的 或者 在dexed
207F
2000
特定的-目的 记忆 (内部的 nonvolatile 或者 外部 记忆) 间接的 或者 indexed
1FFF
1FE0
记忆-编排 sfrs 间接的 或者 indexed
1FDF
1F00
附带的 sfrs
间接的, indexed, 或者
windowed 直接
1EFF
0300
外部 设备 (记忆 或者 i/o) 连接 至 地址/数据 总线;
(future sfr expansion; 看 便条 2)
间接的 或者 在dexed
02FF
0100
upper 寄存器 文件 (一般-目的 寄存器 内存)
间接的, indexed, 或者
windowed 直接
00FF
0000
更小的 寄存器 文件 (寄存器 内存, 堆栈 pointer, 和 cpu sfrs)
直接, 间接的, 或者
indexed
注释:
1. 之后 一个 重置, 这 微控制器 fetches 它的 第一 操作指南 从 2080h.
2. 这 内容 或者 函数 的 这些 locations 将 改变 在 future 微控制器 revisions, 在 这个
情况 一个 程序 那 relies 在 一个 location 在 这个 范围 might 不 函数 合适的.
绝对 最大 比率
存储 温度.................................. –60°c 至 +150° c
电压 从 v
PP
或者 ea# 至 v
SS
或者 angnd...–0.5v 至 +13.0 v
电压 从 任何 其它 管脚 至 v
SS
或者 angnd ...–0.5v 至 +7.0v
电源 dissipation .......................................................... 0.5 w
运行 情况
†
T
一个
(包围的 温度 下面 偏差)...........–40°c 至 +125°c
V
CC
(数字的 供应 电压) ............................ 4.50v 至 5.50v
V
REF
(相似物 供应 电压)............................ 4.50v 至 5.50v
F
XTAL
1
(输入 频率):
- pll 在 2x 模式............................ 4 mhz 至 10 mhz
- pll 在 1x 模式............................ 8 mhz 至 20 mhz
注释
1. angnd 和 v
SS
应当 是 nominally 在 这 一样 潜在的.
2. v
REF
应当 不 超过 v
CC
用 更多 比 0.5v.
注意:
这个 文档 包含 信息
在 产品 在 这 设计 阶段 的 开发-
ment. 做 不 finalize 一个 设计 和 这个 infor-
mation. 修订 信息 将 是 发行
当 这 产品 是 有. 核实 和 your
local intel 销售 办公室 那 你 有 这 最新的
数据手册 在之前 finalizing 一个 设计.
†
警告
: stressing 这 设备 在之外 这
“absolute 最大 ratings” 将 导致 每-
manent 损坏. 这些 是 压力 比率
仅有的. 运作 在之外 这 “operating condi-
tions” 是 不 推荐 和 扩展
暴露 在之外 这 “operating conditions”
将 影响 设备
可靠性.
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