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资料编号:137027
 
资料名称:AO4609
 
文件大小: 690.95K
   
说明
 
介绍:
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


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AO4609
p-频道 典型 电的 和 热的 特性
0
5
10
15
20
012345
-v
DS
(伏特)
图 1: 在-区域 特性
-i
D
(一个)
V
GS
=-3.5v
-2.5v
-3v
-4.5v
-10v
0
2
4
6
8
10
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4
-v
GS
(伏特)
图示 2: 转移 特性
-i
D
(一个)
50
100
150
200
250
0123456
-i
D
(一个)
图示 3: 在-阻抗 vs. 流 电流 和
门 电压
R
ds(在)
(m
)
1.0e-06
1.0e-05
1.0e-04
1.0e-03
1.0e-02
1.0e-01
1.0e+00
1.0e+01
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
-v
SD
(伏特)
图示 6: 身体-二极管 特性
-i
S
(一个)
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0 25 50 75 100 125 150 175
温度 (°c)
图示 4: 在-阻抗 vs. 接合面
温度
normalized 在-阻抗
V
GS
=-10v
V
GS
=-2.5v
0
50
100
150
200
250
300
0246810
-v
GS
(伏特)
图示 5: 在-阻抗 vs. 门-源 电压
R
ds(在)
(m
)
25°C
125°C
V
DS
=-5v
V
GS
=-4.5v
V
GS
=-10v
I
D
=-2a
25°C
125°C
I
D
=-2a
-4v
V
GS
=-2.5v
V
GS
=-4.5v
-2.0v
-5v
alpha &放大; omega 半导体, 有限公司.
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