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资料编号:137766
 
资料名称:AP9563M
 
文件大小: 70.49K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
AP9563M
图 1. 典型 输出 特性 图 2. 典型 输出 特性
图 3. 在-阻抗 v.s. 门 电压 图 4. normalized 在-阻抗
v.s. 接合面 温度
图 5. 向前 典型的 的 图 6. 门 门槛 电压 v.s.
反转 二极管
接合面 温度
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
02468101214
-v
DS
, 流-至-源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
=25
o
C
-10v
-7.0v
-5.0v
-4.5v
V
G
= -3.0 V
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 2 4 6 8 10 12 14
-v
DS
, 流-至-源 电压 (v)
-i
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
=150
o
C
-10v
-7.0v
-5.0v
-4.5v
V
G
= -3.0 V
26
30
34
38
42
46
50
357911
-v
GS
, 门-至-源 电压 (v)
R
ds(在)
(m
Ω
Ω
Ω
Ω
)
I
D
=-4a
T
一个
=25
℃℃
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-50 0 50 100 150
T
j
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized r
ds(在)
I
D
=-6a
V
G
=-10v
0
1
2
3
-50 0 50 100 150
T
j
, 接合面 温度 (
o
c)
-v
gs(th)
(v)
0
2
4
6
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
-v
SD
, 源-至-流 电压 (v)
-i
S
(一个)
T
j
=25
o
CT
j
=150
o
C
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