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资料编号:138323
 
资料名称:APM9926C
 
文件大小: 141.47K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.6 - sep., 2002
www.anpec.com.tw
4
apm9926/c
012345
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0.035
0.040
典型 特性
0.5v
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0
5
10
15
20
I
d-
流 电流 (一个)
转移 特性
T
J
=-55°c
T
J
=25°C
T
J
=125°C
V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
门槛 电压 vs. 接合面 温度
tj - 接合面 温度 (°c)
V
gs(th)-
门槛 电压 (v)
(normalized)
I
DS
=250uA
R
ds(在)
-在-阻抗 (
)
在-阻抗 vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 (一个)
V
GS
=10V
输出 特性
I
D
-流 电流 (一个)
V
GS
=2,3,4,5,6,7,8,9,10v
1V
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
V
GS
=4.5v
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