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资料编号:138380
 
资料名称:APM3055L
 
文件大小: 259.73K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.6 - apr., 2002
APM3055L
www.anpec.com.tw
4
典型 特性 (内容.)
012345678910
0
2
4
6
8
10
Gate 承担
V
DS
=15V
I
DS
= 2a
V
GS
- 门 至 源 电压 (v)
Q
G
-门 承担(nc)
0 5 10 15 20 25 30
0
100
200
300
400
500
Crss
Coss
Ciss
电容
V
DS
- 流-至-源 电压(v)
电容 (pf)
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4
0.1
1
10
源-流 二极管 向前 电压
T
J
=25
o
C
T
J
=150
o
C
I
S
- 源 电流(一个)
V
SD
- 源 至 流 电压
1e-5 1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 10
0
10
20
30
40
50
单独的 脉冲波 电源 能力
顶峰 电源 (w)
时间 (秒)
1e-5 1e-4 1e-3 0.01 0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面 至 包围的
单独的 脉冲波
d=0.01
d=0.02
d=0.05
d=0.1
d=0.2
职责 循环=0.5
1.职责 循环, d= t1/t2
2.每 单位 根基=r
thJA
=50
o
c/w
3.t
JM
-t
一个
=P
DM
Z
thJA
normalized 有效的 瞬时
热的Impedance
正方形的 波 脉冲波 持续时间(秒)



1. 职责 循环 , d=t1/t2
2. 每 单位 根基=r
thJA
=50
°
c/w
3. t
JM
-t
一个
=P
DM
Z
thJA
4. 表面 挂载
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