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资料编号:138396
 
资料名称:APM2506NUC-TRL
 
文件大小: 183.15K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
©
anpec electronics corp.
rev. b.1 - oct., 2003
5
www.anpec.com.tw
APM2506NU
典型 特性
I
D
- 流 电流 (一个)
输出 特性
V
DS
- 流-源 电压 (v)
流-源 在 阻抗
I
D
- 流 电流 (一个)
转移 特性
V
GS
- 门-源 电压 (v)
门 门槛 电压
T
j
- 接合面 温度 (°c)
normalized 门槛 电压
I
D
- 流 电流 (一个)
R
ds(在)
-
在 阻抗 (m
)
0 20406080100
0
2
4
6
8
10
12
V
GS
=4.5v
V
GS
=10V
0246810
0
20
40
60
80
100
3V
2V
2.5v
V
GS
=3.5,4,5,6,7,8,9,10v
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
DS
=250
µ
一个
012345
0
20
40
60
80
100
T
j
=-55
o
C
T
j
=125
o
C
T
j
=25
o
C
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