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资料编号:138396
 
资料名称:APM2506NUC-TRL
 
文件大小: 183.15K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
 
 


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版权
©
anpec electronics corp.
rev. b.1 - oct., 2003
9
www.anpec.com.tw
APM2506NU
物理的 规格
终端 材料 焊盘-镀有 铜 (焊盘 材料 : 90/10 或者 63/37 snpb)
含铅的 可焊性 满足 eia 规格 rsi86-91, ansi/j-标准-002 类别 3.
软熔焊接 情况
(ir/convection 或者 vpr 软熔焊接)
前-热温 温度
183 c
顶峰 温度
时间
°
温度
分类 软熔焊接 profiles
convection 或者 ir/
Convection
VPR
平均 ramp-向上 比率 (183
°
c 至 顶峰) 3
°
c/ 第二 最大值 10
°
c /第二 最大值
preheat 温度 (125
±
25
°
c)
120 秒 最大值
温度 maintained 在之上 183
°
C
60~150 秒
时间 在里面 5
°
c 的 真实的 顶峰 温度
10~20 秒 60 秒
顶峰 温度 范围
220 + 5/-0
°
c 或者 235 +5
°
c/-0
°
C 215~ 219
°
c 或者 235 +5
°
c/-0
°
C
ramp-向下 比率
6
°
c /第二 最大值 10
°
c /第二 最大值
时间 25
°
c 至 顶峰 温度
6 分钟 最大值
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