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资料编号:138429
 
资料名称:APM4500
 
文件大小: 675.47K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.2 - 将., 2003
www.anpec.com.tw
3
APM4500
注释
b
: 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试
电的 特性 (内容.)
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
APM4500
标识 参数 测试 情况
最小值
典型值 最大值
单位
动态
b
n-ch
10 13
Q
g
总的 门 承担
p-ch
912
n-ch
3
Q
gs
门-源 承担
p-ch
3
n-ch
2.5
Q
gd
门-流 承担
n-频道
V
DS
=10v , i
DS
= 8a
V
GS
=4.5v
p-频道
V
DS
=-10v , i
DS
=-3a
V
GS
=-4.5v
p-ch
1
nC
n-ch
16 32
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
p-ch
13 21.5
n-ch
40 75
T
r
转变-在 上升 时间
p-ch
36 56
n-ch
42 78
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
p-ch
45 69.5
n-ch
20 35
T
f
转变-止 下降 时间
n-频道
V
DD
=10v , i
DS
=1a ,
V
GEN
=4.5v , r
G
=0.2
p-频道
V
DD
=-10v , i
DS
=-1a ,
V
GEN
=-4.5v , r
G
=6
p-ch
37 57.5
ns
n-ch
675
C
iss
输入 电容
p-ch
510
n-ch
178
C
oss
输出 电容
p-ch
270
n-ch
105
C
rss
反转 转移 电容
V
GS
=0V
V
DS
=15V
频率=1.0mhz
p-ch
120
pF
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