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资料编号:138429
 
资料名称:APM4500
 
文件大小: 675.47K
   
说明
 
介绍:
Dual Enhancement Mode MOSFET (N-and P-Channel)
 
 


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版权
anpec electronics corp.
rev. 一个.2 - 将., 2003
www.anpec.com.tw
8
APM4500
12345678
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.18
0.20
0246810
0
1
2
3
4
5
0 5 10 15 20
100
200
300
400
500
600
700
800
-50-250 255075100125150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
典型 特性 (内容.)
R
ds(在)
-在-阻抗 (
)
(normalized)
在-阻抗 vs. 接合面 温度
-v
GS
=4.5v
-i
D
=4.3a
T
J
- 接合面 温度 (°c)
-v
DS
- 流-至-源 电压 (v)
电容
电容 (pf)
Ciss
Coss
Crss
-v
GS
- 门-至-源 电压 (v)
R
ds(在)
-在-阻抗 (
)
-i
D
=4.3a
在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
门 承担
Q
G
- 门 承担 (nc)
-v
GS
-门-源 电压 (v)
-v
DS
=10V
-i
D
=3A
Frequency=1MHz
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