标识
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
,t
STG
T
L
参数
流-源 电压
持续的 流 电流 @ t
C
= 25
°
C
搏动 流 电流
1
门-源 电压
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
直线的 减额 因素
运行 和 存储 接合面 温度 范围
含铅的 温度: 0.063" 从 情况 为 10 秒.
静态的 电的 特性
典型的 / 测试 情况 / 部分 号码
流-源 损坏 电压
(v
GS
= 0v, i
D
= 250
µ
一个)
在 状态 流 电流
2
(v
DS
> i
D
(在) x r
DS
(在) 最大值, v
GS
= 10v)
流-源 在-状态 阻抗
2
(v
GS
= 10v, 0.5 i
D
[cont.])
零 门 电压 流 电流 (v
DS
= v
DSS
, v
GS
= 0v)
零 门 电压 流 电流 (v
DS
= 0.8 v
DSS
, v
GS
= 0v, t
C
= 125
°
c)
门-源 泄漏 电流 (v
GS
=
±
30v, v
DS
= 0v)
门 门槛 电压 (v
DS
= v
GS
, i
D
= 1.0ma)
热的 特性
标识
R
θ
JC
R
θ
JA
典型的
接合面 至 情况
接合面 至 包围的
最小值 典型值 最大值
0.51
40
单位
°
c/w
标识
BV
DSS
I
D
(在)
R
DS
(在)
I
DSS
I
GSS
V
GS
(th)
最小值 典型值 最大值
APT1002RBN
1000
APT1002R4BN
1000
APT1002RBN
7.0
APT1002R4BN
6.5
APT1002RBN
2.00
APT1002R4BN
2.40
250
1000
±
100
24
单位
伏特
放大器
Ohms
µ
一个
nA
伏特
单位
伏特
放大器
伏特
Watts
w/
°
C
°
C
APT APT
1002RBN 1002R4BN
1000 1000
7.0 6.5
28 26
±
30
240
1.96
-55 至 150
300
最大 比率
所有 比率: t
C
= 25
°
c 除非 否则 指定.
提醒:
这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放. 恰当的 处理 程序 应当 是 followed.
APT1002RBN 1000V 7.0a 2.00
Ω
APT1002R4BN 1000V 6.5a 2.40
Ω
N- 频道 增强 模式高电压 电源 mosfets
电源 mos iv
®
050-0009 rev b
至-247
USA
405 s.w. columbia 街道 bend, oregon 97702-1035 phone: (541)382-8028 传真: (541)388-0364
欧洲
avenue j.f. kennedy bât b4 parc cadéra nord f-33700 merignac - 法国 phone: (33) 5 57 92 15 15 传真: (33) 5 56 47 97 61
G
D
S