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资料编号:138646
 
资料名称:APT1002R4BN
 
文件大小: 50.45K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS
 
 


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V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特) V
DS
, 流-至-源 电压 (伏特)
图示 2, 典型 输出 特性 图示 3, 典型 输出 特性
V
GS
, 门-至-源 电压 (伏特) I
D
, 流 电流 (amperes)
图示 4, 典型 转移 特性 图示 5, r
DS
(在) vs 流 电流
T
C
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6, 最大 流 电流 vs 情况 温度 图示 7, 损坏 电压 vs 温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) T
C
图示 8, 在-阻抗 vs. 温度 图示 9, 门槛 电压 vs 温度
R
DS
(在), 流-至-源 在 阻抗 I
D
, 流 电流 (amperes) I
D
, 流 电流 (amperes) I
D
, 流 电流 (amperes)
(normalized)
V
GS
(th), 门槛 电压 BV
DSS
(在), 流-至-源 损坏 R
DS
(在), 流-至-源 在 阻抗 I
D
, 流 电流 (amperes)
(normalized) 电压 (normalized)
-50-25 0 25 50 75 100 125 150
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
ds d ds
v > i (在) x r(在)最大值.
230
µ
秒. 脉冲波 测试
2.5
0
0
2
4
68
8
16
12
20
0.7
0.9
0.8
1.0
1.1
1.2
0
0
-25 0 25 50 75 100 125 150-50
-25 0 25 50 75 100 125 150-50
25 50 75 100 125 150
0.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
200 300
400
500
1000 0
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
4V
2
4
6
8
2
4
8
6
4
4
0
12 16
J
t =+125
°
C
t =+125
°
C
GS
v =20v
v =10v
GS
8
4.5v
5V
v =10v
GS
5.5v
6V
2 4 6 8 10 12
4.5v
4V
v =5.5, 6 &放大; 10v
GS
5V
I
D
= 0.5 i
D
[cont.]
V
GS
= 10v
T
J
= 25
°
C
2
µ
秒. 脉冲波 测试
normalized 至
V
GS
= 10v @ 0.5 i
D
[cont.]
0
2
4
6
8
APT1002R4BN
APT1002RBN
apt1002r/1002r4bn
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