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资料编号:138663
 
资料名称:APT200GN60J
 
文件大小: 199.53K
   
说明
 
介绍:
Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
 
 


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050-7610 rev 一个 1-2005
apt200gn60jtypical 效能 曲线
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θ
JC
, 热的 阻抗 (°c/w)
0.3
0.9
0.7
单独的 脉冲波
rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
图示 19a, 最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-情况 vs 脉冲波 持续时间
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
20,000
10,000
5000
1000
500
100
700
600
500
400
300
200
100
0
c, 电容 (
P
f)
I
C
, 集电级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级-至-发射级 电压 (伏特) V
CE
, 集电级 至 发射级 电压
图示 17, 电容 vs 集电级-至-发射级 电压 图示 18,minimim 切换 safe 运行 范围
0 10 20 30 40 50 0 100 200 300 400 500 600 700
图示 19b, 瞬时 热的 阻抗 模型
25 50 75 100 125 150 175 200
F
最大值
, 运行 频率 (khz)
I
C
, 集电级 电流 (一个)
图示 20, 运行 频率 vs 集电级 电流
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
d = 50 %
V
CE
= 400v
R
G
= 5
50
10
1
0.5
0.1
0.05
F
最大值
=
最小值 (f
最大值
, f
max2
)
0.05
f
max1
=
t
d(在)
+ t
r
+ t
d(止)
+ t
f
P
diss
- p
cond
E
on2
+ e
f
max2
=
P
diss
=
T
J
- t
C
R
θ
JC
C
0es
C
res
C
ies
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JC
+
T
C
职责 因素 d =
t
1
/
t
2
t
2
t
1
P
DM
便条:
0.0536
0.169
0.00826f
0.353f
电源
(watts)
rc 模式
L
接合面
温度 (
°
c)
情况 温度. (
°
c)
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