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资料编号:138663
 
资料名称:APT200GN60J
 
文件大小: 199.53K
   
说明
 
介绍:
Intergrated Gate Resistor: Low EMI, High Reliability
 
 


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050-7610 rev 一个 1-2005
APT200GN60J
图示 22, 转变-在 切换 波形 和 definitions
图示 23, 转变-止 切换 波形 和 definitions
T
J
= 125°c
集电级 电流
集电级 电压
门 电压
切换 活力
5%
10%
t
d(在)
90%
10%
t
r
5%
T
J
= 125°c
集电级 电压
集电级 电流
门 电压
切换 活力
0
90%
t
d(止)
10%
t
f
90%
*driver 一样 类型 作 d.u.t.
I
C
V
CLAMP
100uH
V
测试
一个
一个
B
d.u.t.
DRIVER*
V
CE
图示 24, e
ON1
测试 电路
I
C
一个
d.u.t.
V
CE
图示 21, inductive 切换 测试 电路
V
CC
APT100DQ60
apt’s 产品 是 covered 用 一个 或者 更多 的 u.s.专利权 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 和 foreign patents. 美国 和 foreign 专利权 pending. 所有 权利 reserved.
sot-227 (isotop
®
) 包装 外形
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
维度 在 毫米 和 (英寸)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
十六进制 nut m4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* 发射级 集电级
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
w=4.1 (.161)
w=4.3 (.169)
h=4.8 (.187)
h=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* 发射级
发射级 terminals 是 短接
内部. 电流 处理
能力 是 equal 为 也
源 终端.
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