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资料编号:138674
 
资料名称:APT15GP60BDF1
 
文件大小: 129.03K
   
说明
 
介绍:
POWER MOS 7 IGBT
 
 


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050-7428 rev b 4-2003
APT15GP60BDF1
T
J
=
125°c, v
GE
=
10V
或者 15v
T
J
=
25°c, v
GE
=
10V
或者 15v
V
CE
= 400v
R
G
= 5
l = 100 µh
V
GE
=
15v,t
J
=125°C
V
GE
= 15v
V
GE
= 10v
V
GE
=10v,t
J
=125°C
V
GE
=
10v,t
J
=25°C
V
GE
=
15v,t
J
=25°C
T
J
=
25°c, v
GE
=
10V
或者 15v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个) I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
图示 9, 转变-在 延迟 时间 vs 集电级 电流 图示 10, 转变-止 延迟 时间 vs 集电级 电流
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个) I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
图示 11, 电流 上升 时间 vs 集电级 电流 图示 12, 电流 下降 时间 vs 集电级 电流
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个) I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
图示 13, 转变-在 活力 丧失 vs 集电级 电流 图示 14, 转变 止 活力 丧失 vs 集电级 电流
R
G
, 门 阻抗 (ohms) T
J
, 接合面 温度 (°c)
图示 15, 切换 活力 losses vs. 门 阻抗 图示 16, 切换 活力 losses vs 接合面 温度
R
G
=
5
, l
=
100
µ
h, v
CE
=
400V
R
G
=
5
, l
=
100
µ
h, v
CE
=
400V
V
CE
= 400v
l = 100 µh
R
G
= 5
T
J
=
25 或者 125°c,v
GE
=
15V
T
J
=
25 或者 125°c,v
GE
=
10V
V
CE
= 400v
V
GE
= +15v
R
G
= 5
切换 活力 losses (µj) E
ON2
, 转变 在 活力 丧失 (µj) t
r,
上升 时间 (ns) t
d(在)
, 转变-在 延迟 时间 (ns)
切换 活力 losses (µj) E
, 转变 止 活力 丧失 (µj) t
f,
下降 时间 (ns) t
d
(止)
, 转变-止 延迟 时间 (ns)
V
CE
= 400v
V
GE
= +15v
T
J
= 125°c
V
CE
= 400v
l = 100 µh
R
G
= 5
T
J
=125°c, v
GE
=15V
T
J
=
125°c, v
GE
=
10V
或者 15v
T
J
=125°c,v
GE
=10V
T
J
= 25°c, v
GE
=10V
T
J
= 25°c, v
GE
=15V
5 10 15 20 25 30 5 10 15 20 25 30
5 10 15 20 25 30 5 10 15 20 25 30
0 5 10 15 20 25 30 5 10 15 20 25 30
0 10 20 30 40 50 -50 -25 0 25 50 75 100 125
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
30
25
20
15
10
5
0
700
600
500
400
300
200
100
0
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
80
60
40
20
0
700
600
500
400
300
200
100
0
700
600
500
400
300
200
100
0
E
30A
E
on2
30A
E
on2
7.5a
E
15A
E
on2
15A
E
7.5a
E
on2
7.5a
E
15A
E
on2
15A
E
on2
30A
E
30A
E
7.5a
V
CE
= 400v
T
J
= 25°c 或者 125°c
R
G
= 5
l = 100 µh
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