63
测试
1
2
4
3
gu (一般 使用) 类型
sop 序列
1- 频道 (表格 b)
4-管脚 类型
4.4
±
0.2
.173
±
.008
2.1
±
0.2
.083
±
.008
4.3
±
0.2
.169
±
.008
特性
1. 所以 包装 4-管脚 类型 在 超级的 最小值-
iature 设计
这 设备 comes 在 一个 超级的-小型的
所以 包装 4-管脚 类型 测量 (w)
4.3
×
(l) 4.4
×
(h) 2.1 mm(w) .169
×
(l)
.173
×
(h) .083 inch—approx. 70% 的 这
容积 和 70% 的 这 footprint 大小 的 所以
包装 6-管脚 类型 photomos 接转.
2. 低 在 阻抗 为 正常情况下-
关闭 类型
这个 有 被 认识到 感谢 至 这 建造-
在 场效应晶体管 processed 用 我们的 专卖的
方法, dsd (翻倍-diffused 和 se-
lective doping) 方法.
容积
(4-管脚)(6-管脚)
approx. 70%
Footprint
approx. 70%
,
,
,
源 electrode
N
–
N
+
N
+
N
+
P
+
N
+
N
+
P
+
门 electrode
passivation membrane
交叉 部分 的 这 正常情况下-关闭 类型 的
电源 mos
Intermediate
insulating
membrane
门
oxidation
membrane
流
electrode
3. 录音带 和 卷轴
这 设备 comes 标准 在 一个 录音带 和
卷轴 (1,000 pcs./卷轴) 至 facilitate 自动
嵌入 machines.
4. 控制 低-水平的 相似物 信号
photomos 接转 特性 极其 低
关闭-电路 补偿 电压 至 使能 con
-
trol 的 低-水平的 相似物 信号 没有 dis-
tortion.
5. 低-水平的 止 状态 泄漏 电流
在 contrast 至 这 ssr 和 一个 止 状态
泄漏 电流 的 一些 milliamps, 这
photomos 接转 特性 一个 非常 小 止
状态 泄漏 电流 的 1na 甚至 和 这
评估 加载 电压 的 350 v (aqy410s).
典型 应用
S
• telecommunications (pc, electoronic
notepad)
• 测量 和 测试 设备
• 工厂 automation 设备
• 安全 设备
• 高 速 inspection machines
类型
交流/直流 类型
* 表明 这 顶峰 交流 和 直流 值.
注释: (1) 录音带 包装 是 这 标准 包装 样式. 也 有 在 tube. (部分 no. suffix "x" 或者 "z" 是 不 需要 当 ordering; tube: 100 pcs.;
情况: 2,000 pcs.)
(2) 为 空间 reasons, 这 顶 二 letters 的 这 产品 号码 "aqy" 和 "s" 是 omitted 在 这 产品 seal. 这 包装 类型 指示信号 "x"
和 "z" 是 omitted 从 这 seal. (ex. 这 label 为 产品 号码 aqy414s 是 414).
输出 rating* 部分 非.
包装 quantity 在 录音带
和 卷轴
加载 电压 加载 电流 picked 从 这 1/2-管脚 一侧 picked 从 这 3/4-管脚 一侧
350 v 120 毫安 AQY410SX AQY410SZ
1,000 pcs.
400 v 100 毫安 AQY414SX AQY414SZ
比率
交流/直流 类型
1. 绝对 最大 比率 (包围的 温度: 25
°
C77
°
F)
Item 标识 AQY410S AQY414S Remarks
输入
led 向前 电流 I
F
50 毫安
led 反转 电压 V
R
3 v
顶峰 向前 电流 I
FP
1 一个 f = 100 hz, 职责 因素 = 0.1%
电源 消耗 P
在
75 mw
输出
加载 电压 (顶峰 交流) V
L
350 v 400 v
持续的 加载 电流
(顶峰 交流)
I
L
0.12 一个 0.1 一个
顶峰 加载 电流 I
顶峰
0.3 一个 0.24 一个 100ms (1 shot), v
L
= 直流
电源 消耗 P
输出
300 mw
总的 电源 消耗 P
T
350 mw
i/o 分开 电压 V
iso
1,500 v 交流
Temperture
限制
运行 T
opr
–40
°
c 至 +85
°
C–40
°
f 至 +185
°
F 非-condensing 在 低 温度
存储 T
stg
–40
°
c 至 +100
°
C–40
°
f 至 +212
°
F
PhotoMOS
接转
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