gaas ic spdt 转变 非-reflective dc–2.5 ghz as002m2-12
2
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规格 主题 至 改变 没有 注意. 3/99a
1.4
1.2
1.0
1.0 2.0 3.0
0.8
0.6
频率 (ghz)
嵌入 丧失 vs. 频率
0.4
dB
+85˚C
-40˚c
3.0
频率 (ghz)
vswr vs. 频率
1.6
1.8
2.0
2.0
1.4
1.2
1.0
1.0
3.02.01.0
频率 (ghz)
分开 vs. 频率
70
60
50
40
30
20
dB
J
1
–J
3
J
1
–J
2
典型 效能 数据 (0, -5 v)
1 2 3 4
8 7 6 5
50
50
J
1
V
2
地
C
BL
C
BL
J
2
V
S
10 k
Ω
C
BP
V
1
C
BL
J
3
地
C
BP
典型的 值
rf 输入 电源 2 w > 500 mhz 0/-8 v
0.5 w @ 50 mhz 0/-8 v
控制 电压 +0.2 v, -8 v
运行 温度 -40°c 至 +85°c
存储 温度 -65°c 至 +150°c
Θ
JC
25°c/w
绝对 最大 比率
便条: exceeding 这些 参数 将 导致 irreversible 损坏.
外部 组件 显示 是 为 积极的 电压 运作 仅有的.
C
BL
= 100 pf, c
BP
= 1000 pf 为 运作 >500 mhz.
管脚 输出
V
1
V
2
J
1
–J
2
J
1
–J
3
0 -5 Insertion 丧失 分开
-5 0 分开 嵌入 丧失
真实 表格
负的 运作
积极的 运作
V
1
V
2
J
1
–J
2
J
1
–J
3
V
高
0 Insertion 丧失 分开
0 V
高
分开 嵌入 丧失
V
高
= +5 至 +8 v (v
S
= v
高
± 0.2 v).
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