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astec 半导体
AS384x
电流 模式 控制
电的 特性
(contÕd)
电的 特性 是 有保证的 在 全部 接合面 温度 范围 (0 至 105¡c). 包围的 温度 必须 是 derated
为基础 在 电源 消耗 和 包装 热的 特性. 这 情况 是: v
CC
= 15 v, r
T
= 10 k½, 和 c
T
= 3.3 nf, 除非
否则 陈述. 至 override uvlo, v
CC
应当 是 raised 在之上 17 v 较早的 至 测试.
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
错误 放大器
输入 电压 V
FB
T
J
= 25¡c 2.475 2.500 2.525 V
输入 偏差 电流 I
偏差
Ð0.1 Ð1 µA
电压 增益 一个
VOL
2 ² V
竞赛
² 4 v 65 90 1 dB
Transconductance G
m
1 毫安/mv
统一体 增益 带宽
1
GBW 0.8 1.2 MHz
电源 供应 拒绝 比率 PSRR 12 ² V
CC
² 25 v 60 70 dB
输出 下沉 电流 I
COMPL
V
FB
= 2.7 v, v
竞赛
= 1.1 v 2 6 毫安
输出 源 电流 I
COMPH
V
FB
= 2.3 v, v
竞赛
= 5 v 0.5 0.8 毫安
输出 摆动 高 V
COMPH
V
FB
= 2.3 v, r
L
= 15 k½ 至 地面 5 5.5 V
输出 摆动 低 V
COMPL
V
FB
= 2.7 v, r
L
= 15 k½ 至 管脚 8 0.7 1.1 V
电流 sense 比较器
转移 增益
2,3
AV
CS
Ð0.2 ² V
SENSE
² 0.8 v 2.85 3.0 3.15 v/v
I
SENSE
水平的 变换
2
V
LS
V
SENSE
= 0 v 1.5 V
最大 输入 信号
2
V
竞赛
= 5 v 0.9 1 1.1 V
电源 供应 拒绝 比率 PSRR 12 ² V
CC
² 25 v 70 dB
输入 偏差 电流 I
偏差
Ð1 Ð10 µA
传播 延迟 至 输出
1
t
PD
85 150 ns
输出
输出 低 水平的 V
OL
I
下沉
= 20 毫安 0.1 0.4 V
V
OL
I
下沉
= 200 毫安 1.5 2.2 V
输出 高 水平的 V
OH
I
源
= 20 毫安 13 13.5 V
V
OH
I
源
= 200 毫安 12 13.5 V
上升 时间
1
t
R
C
L
= 1 nf 50 150 ns
下降 时间
1
t
F
C
L
= 1 nf 50 150 ns
Housekeeping
开始-向上 门槛 V
CC
(在) 3842/4 15 16 17 V
3843/5 7.8 8.4 9.0 V
最小 运行 电压 V
CC
(最小值) 3842/4 9 10 11 V
之后 turn 在 3843/5 7.0 7.6 8.2 V
输出 低 水平的 在 uv 状态 V
OUV
I
下沉
= 20 毫安, v
CC
= 6 v 1.5 2.0 V
在-温度 关闭
4
T
OT
125 ¡C
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