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低 电流, 高 效能
npn 硅 双极 晶体管
技术的 数据
特性
• 高 效能 双极
晶体管 优化 为
低 电流, 低 电压
运作
• 900 mhz 效能:
在-32011: 1 db nf, 14 db g
一个
在-32033: 1 db nf, 12.5 db g
一个
• 典型 为 终止-的-
生命 电池 使用 (2.7 v)
• sot-23 和 sot-143 smt
塑料 包装
• 录音带-和-卷轴 包装
选项 有
[1]
描述
hewlett packard’s 在-32011 和
在-32033 是 高 效能
npn 双极 晶体管 那 有
被 优化 为 最大 f
t
在
低 电压 运作, 制造
它们 完美的 为 使用 在 电池
powered 产品 在 无线的
markets. 这 在-32033 使用 这
3␣ 含铅的 sot-23, 当 这 在-320 11
places 这 一样 消逝 在 这 高等级的
效能 4 含铅的 sot-143. 两个都
包装 是 工业 标准,
和 兼容 和 高 容积
表面 挂载 组装
技巧.
这 3.2 micron 发射级-至-发射级
程度 和 减少 parasitic 设计
的 这些 晶体管 产量
极其 高 效能
产品 那 能 执行 一个
multiplicity 的 tasks. 这
20␣ 发射级 finger interdigitated
geometry 产量 一个 容易 至 相一致
至 和 极其 快 晶体管
和 moderate 电源, 低 噪音
阻抗, 和 低 运行
电流.
优化 效能 在 2.7 v
制造 这些 设备 完美的 为 使用
在 900 mhz, 1.8 ghz, 和 2.4 ghz
电池 运作 系统 作 一个
lna, 增益 平台, 缓存区, 振荡器,
或者 起作用的 mixer. 典型 放大器
设计 在 900 mhz yield 1.2 db
噪音 计算数量 和 12 db 或者 更多
有关联的 增益 在 一个 2.7 v, 2 毫安
偏差, 和 噪音 效能
正在 相当地 insensitive 至
输入 相一致. 高 增益 能力
在 1 v, 1 毫安 制造 这些 设备 一个
好的 合适 为 900 mhz pager
产品. 电压 breakdowns
是 高 足够的 为 使用 在 5 伏特.
这 在-3 序列 双极 晶体管
是 fabricated 使用 一个 优化
版本 的 hewlett packard’s
10␣ ghz f
t
, 30 ghz f
最大值
自-
排整齐-晶体管 (sat) 处理.
这 消逝 是 渗氮 钝化的 为
表面 保护. 极好的
设备 统一, 效能
和 可靠性 是 生产 用 这
使用 的 ion-implantation, 自-
排成直线 技巧, 和 金
metalization 在 这 fabrication 的
这些 设备.
在-32011
在-32033
根基 发射级
发射级 集电级
根基 发射级
集电级
320
320
sot-23 (在-32033)
sot-143 (在-32011)
便条:
1. 谈及 至 “tape-和-卷轴 包装 为 半导体 设备.”
外形 绘画
5965-8920e
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