4-24
在-30511, 在-30533 绝对 最大 比率
标识 参数 单位 绝对 最大
[1]
V
EBO
发射级-根基 电压 V 1.5
V
CBO
集电级-根基 电压 V 11
V
CEO
集电级-发射级 电压 V 5.5
I
C
集电级 电流 毫安 8
P
T
电源 消耗
[2] [3]
mW 100
T
j
接合面 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
注释:
1. 运作 的 这个 设备 在之上 任何 一个 的 这些 参数 将 导致 永久的
损坏.
2. t
挂载 表面
= 25
°
c.
3. 减额 在 1.82 mw/
°
c 为 t
C
> 95
°
c.
热的 阻抗
[2]
:
θ
jc
= 550
°
c/w
图示 1. 测试 电路 为 噪音 图示 和 有关联的 增益. 这个 电路 是 一个
compromise 相一致 在 最好的 噪音 图示, 最好的 增益, 稳固, 一个 实际的,
synthesizable 相一致, 和 一个 电路 有能力 的 相一致 两个都 这 在-305 和
在-310 geometries.
1000 pf
V
BB
w = 10 l = 1860
w = 10 l = 1000
w = 30 l = 100
w = 30 l = 100
w = 10 l = 1860
1000 pf
V
CC
25
Ω
w = 10 l = 1025
测试 电路 一个: w = 20 l = 100
测试 电路 b: w = 20 l = 200 x 2
不 至 规模
测试 电路
板 matl = 0.062" fr-4 (
ε
= 4.8)
维度 在 毫英寸
电的 规格, t
一个
= 25
°
C
在-30511 在-30533
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
NF 噪音 图示
V
CE
= 2.7 v, i
C
= 1 毫安 f = 0.9 ghz dB 1.1
[1]
1.4
[1]
1.1
[2]
1.4
[2]
G
一个
有关联的 增益
V
CE
= 2.7 v, i
C
= 1 毫安 f = 0.9 ghz dB 14
[1]
16
[1]
11
[2]
13
[2]
h
FE
向前 电流 V
CE
= 2.7 v - 70 300 70 300
转移 比率 I
C
= 1 毫安
I
CBO
集电级 截止 电流 V
CB
= 3 v
µ
一个 0.03 0.2 0.03 0.2
I
EBO
发射级 截止 电流 V
EB
= 1 v
µ
一个 0.1 1.5 0.1 1.5
注释:
1. 测试 电路 b, 图示 1. 号码 反映 设备 效能 de-embedded 从 电路 losses.
输入 丧失 = 0.4 db; 输出 丧失 = 0.4 db.
2. 测试 电路 一个, 图示 1. 号码 反映 设备 效能 de-embedded 从 电路 losses.
输入 丧失 = 0.4 db; 输出 丧失 = 0.4 db.
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