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资料编号:142317
 
资料名称:AT-30533-TR1
 
文件大小: 101.45K
   
说明
 
介绍:
Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
 
 


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4-25
在-30511, 在-30533 描绘 信息, t
一个
= 25
°
C
在-30511 在-30533
标识 参数 和 测试 情况 单位 典型值 典型值
P
1dB
电源 在 1 db 增益 压缩 (opt tuning)
V
CE
= 2.7 v, i
C
= 5 毫安 f = 0.9 ghz dBm 7 7
G
1dB
增益 在 1 db 增益 压缩 (opt tuning)
V
CE
= 2.7 v, i
C
= 5 毫安 f = 0.9 ghz dB 16.5 15
IP
3
输出 第三 顺序 intercept 要点,
V
CE
= 2.7 v, i
C
= 5 毫安 (opt tuning) f = 0.9 ghz dBm 17 17
|S
21
|
E
2
增益 在 50
系统; v
CE
= 2.7 v, i
C
= 1 毫安 f = 0.9 ghz dB 10 9
C
CB
集电级-根基 电容 V
CB
=3v,f=1MHz pF 0.04 0.04
p 1db (dbm)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
10
4
2
0.5 2.5
6
2.0
8
5 毫安
2 毫安
g 1db (dbm)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
25
10
5
0.5 2.5
15
2.0
20
5 毫安
2 毫安
g 1db (dbm)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
25
10
5
0.5 2.5
15
2.0
20
5 毫安
2 毫安
典型 效能
便条:
1. 放大器 nf 代表 这 噪音 图示 这个 能 是 预期的 在 一个 real 电路 representing 合理的 reflection coefficients 和
包含 电路 losses.
图示 7. 在-30533 1 db compressed
增益 vs. 频率 和 电流 在
V
CE
= 2.7 v.
图示 6. 在-30511 1 db compressed
增益 vs. 频率 和 电流 在
V
CE
= 2.7 v.
图示 5. 在-30511 和 在-30533
电源 在 1 db 增益 压缩 vs.
频率 和 电流 在 v
CE
= 2.7 v.
图示 4. 在-30533 有关联的 增益 在
最佳的 噪音 相一致 vs. 频率
和 电流 在 v
CE
= 2 .7 v.
图示 3. 在-30511 有关联的 增益 在
最佳的 噪音 相一致 vs. 频率
和 电流 在 v
CE
= 2 .7 v.
图示 2. 在-30511 和 在-30533
最小 噪音 图示 和 放大器
NF
[1]
vs. 频率 和 电流 在
V
CE
␣= 2.7v.
噪音 图示 (db)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
2.5
1.0
0.5
0.5 2.5
1.5
2.0
2.0
1 毫安
5 毫安
放大器 nf
nf 最小值
ga (db)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
25
10
5
0.5 2.5
15
2.0
20
5 毫安
1 毫安
ga (db)
0
0
频率 (ghz)
1.0 1.5
25
10
5
0.5 2.5
15
2
20
5 毫安
1 毫安
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