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AT45DB161B
2224i–dflsh–10/04
产品. 它的 17,301,504 位 的 记忆 是 有组织的 作 4096 页 的 528 字节
各自. 在 增加 至 这 主要的 记忆, 这 at45db161b 也 包含 二 sram
数据 缓存区 的 528 字节 各自. 这 缓存区 准许 接到 的 数据 当 一个 页 在 这
主要的 记忆 是 正在 reprogrammed, 作 好 作 writing 一个 持续的 数据 stream.
可擦可编程只读存储器 emulation (位 或者 字节alterability) 是 容易地 handled 和 一个 自-包含 三
步伐 读-modify-写 运作.不像 常规的 flash memories 那 是
accessed randomly 和 多样的 地址 lines 和 一个 并行的 接口, 这 dataflash
使用 一个 spi 串行 接口 至 sequentially 进入 它的 数据. dataflash 支持 spi 模式
0 和 模式 3. 这 简单的 串行 接口 facilitates 硬件 布局, 增加 系统
可靠性, 降低 切换 噪音, 和减少 包装 大小 和 起作用的 管脚 计数.
这 设备 是 优化 为 使用 在 许多 商业的 和 工业的 产品 在哪里
高 密度, 低 管脚 计数, 低 电压, 和 低 电源 是 essential. 这 设备 oper-
ates 在 时钟 发生率 向上 至 20 mhz 和 一个 典型 起作用的 读 电流 消耗量 的
4ma.
至 准许 为 简单的 在-system reprogrammability, 这 at45db161b 做 不 需要
高 输入 电压 为 程序编制. 这 设备 运作 从 一个 单独的 电源 供应,
2.5v 至 3.6v 或者 2.7v 至 3.6v, 为 两个都 这 程序 和 读 operations. 这
at45db161b 是 使能 通过 这 碎片 选择 管脚 (cs
) 和 accessed 通过 一个 三-线
接口 consisting 的 这 串行 输入 (si), 串行 输出 (所以), 和 这 串行 时钟
(sck).
所有 程序编制 循环 是 自-安排时间, 和非 独立的 擦掉 循环 是 必需的 在之前
程序编制.
当 这 设备 是 运输 从 atmel, 这 大多数 重大的 页 的 这 记忆 排列
将 不 是 erased. 在 其它 words, 这 内容 的 这 last 页 将 不 是 filled 和
ffh.
块 图解
记忆 排列
至 提供 最优的 flexibility,这 记忆 排列 的 这 at45db161b 是 分隔 在 三
水平 的 granularity comprising 的 sectors, blocks, 和 页. 这 记忆 architecture
图解 illustrates 这 损坏 的 各自 水平的 和 details 这 号码的 页 每
sector 和 块. 所有 程序 行动 至 这 dataflash 出现 在 一个 页-用-页
基准; 不管怎样, 这 optional 擦掉 operations 能 是 执行 在 这 块 或者 页
水平的.
flash 记忆 排列
页 (528 字节)
缓存区 2 (528 字节)缓存区 1 (528 字节)
i/o 接口
SCK
CS
重置
VCC
地
rdy/busy
WP
SOSI
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