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特性
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32-mbit dataflash 和 4-mbit sram
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单独的 62-球 (8 mm x 12 mm x 1.2 mm) cbga 包装
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2.7v 至 3.3v 运行 电压
DataFlash
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单独的 2.7v 至 3.3v 供应
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串行 附带的 接口 (spi) 兼容
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20 mhz 最大值 时钟 频率
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页 程序 运作
– 单独的 循环 reprogram (擦掉 和 程序)
– 8192 页 (528 字节/页) 主要的 记忆
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支持 页 和 块 擦掉 行动
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二 528-字节 sram 数据 缓存区 – 准许 接到 的 数据
当 reprogramming 的 nonvolatile 记忆
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持续的 读 capability 通过 全部 排列
– 完美的 为 代号 shadowing 产品
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低 电源 消耗
– 4 毫安 起作用的 读 电流 典型
– 2 µa cmos 备用物品 电流 典型
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硬件 数据 保护 特性
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工业的 温度erature 范围
SRAM
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4-megabit (256k x 16)
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2.7v 至 3.3v v
CC
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70 ns 进入 时间
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全部地 静态的 运作 和 触发-状态 输出
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1.2v (最小值) 数据 保持
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工业的 温度erature 范围
32-megabit
DataFlash
®
+ 4-megabit
SRAM
堆栈 记忆
AT45BR3214B
rev. 3356b–dflash–10/04
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