AT45DB041B_集成电路资料查询网

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AT45DB041B
1938f–dflsh–10/02
重置 定时 (inactive clock 极性 低 显示)
便条: 这 cs信号 应当 是 在 这 高 状态 在之前 这 重置信号 是 deasserted.
command sequence 为 读/写 行动 (除了 状态 寄存器 读)
注释: 1. “r” designates 位 保留 为 大 densities.
2. 它 是 推荐 那 “r” 是 一个 logical “0” 为 densities 的 4m 位 或者 小.
3. 为 densities 大 比 4m 位, 这 “r” 位 变为 这 大多数 重大的 页 地址 位 为 这 适合的 密度.
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高 阻抗 高 阻抗
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8 位
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大 densities
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(pa10-pa0)
字节/缓存区 地址
(ba8-ba0/bfa8-bfa0)
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15 AT45DB041B 1938f–dflsh–10/02 重置定时 (inactive clock 极性低显示) 便条: 这 cs信号应当是在这高状态在之前这重置信号是 deasserted. command sequence 为读/写行动 (除了状态寄存器读) 注释: 1. “r” designates 位保留为大 densities. 2. 它是推荐那 “r” 是一个 logical “0” 为 densities 的 4m 位或者小. 3. 为 densities 大比 4m 位, 这 “r” 位变为这大多数重大的页地址位为这适合的密度. CS SCK 重置所以高阻抗高阻抗 SI t RST t REC t CSS SI CMD 8 位 8 位 8 位 MSB 保留为大 densities 页地址 (pa10-pa0) 字节/缓存区地址 (ba8-ba0/bfa8-bfa0) lsbr r r r x x x x x x x x x x x x x x x x x x x x

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