5-23
0.5–12 ghz 低 噪音
镓 砷化物 场效应晶体管
技术的 数据
特性
• 低 噪音 图示:
0.5 db 典型 在 4 ghz
• 低 偏差:
V
DS
= 2 v, i
DS
␣ =␣ 20 毫安
• 高 有关联的 增益:
13.0 db 典型 在 4 ghz
• 高 输出 电源:
20.0 dbm 典型 p
1 db
在 4 ghz
• 费用 有效的 陶瓷的
microstrip 包装
• 录音带-和 卷轴 包装
选项 有
[1]
atf-10136
36 微观的-x 包装
电的 规格, t
一个
= 25
°
C
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值
NF
O
最佳的 噪音 图示: v
DS
= 2 v, i
DS
= 25 毫安 f = 2.0 ghz dB 0.4
f = 4.0 ghz dB 0.5 0.6
f = 6.0 ghz dB 0.8
G
一个
增益 @ nf
O
; v
DS
= 2 v, i
DS
= 25 毫安 f = 2.0 ghz dB 16.5
f = 4.0 ghz dB 12.0 13.0
f = 6.0 ghz dB 11.0
P
1 db
电源 输出 @ 1 db 增益 压缩 f = 4.0 ghz dBm 20.0
V
DS
= 4 v, i
DS
= 70 毫安
G
1 db
1 db compressed 增益: v
DS
= 4 v, i
DS
= 70 毫安 f = 4.0 ghz dB 12.0
g
m
跨导: v
DS
= 2 v, v
GS
= 0 v mmho 70 140
I
DSS
saturated 流 电流: v
DS
= 2 v, v
GS
=0V m 一个 70 130 180
V
P
pinchoff 电压: v
DS
= 2 v, i
DS
=1m一个 V -4.0 -1.3 -0.5
便条:
1.
谈及 至 包装 部分 “tape-和-卷轴 包装 为 表面 挂载 半导体.”
描述
这 atf-10136 是 一个 高 效能
镓 砷化物 肖特基-屏障-
门 地方 效应 晶体管 housed 在 一个
费用 有效的 microstrip 包装. 它的
premium 噪音 图示 制造 这个
设备 适合的 为 使用 在 这 第一
平台 的 低 噪音 放大器 operat-
ing 在 这 0.5-12 ghz 频率 范围.
这个 gaas 场效应晶体管 设备 有 一个 名义上的
0.3 micron 门 长度 使用 airbridge
interconnects 在 流 fingers.
总的 门 periphery 是 500 microns.
proven 金 为基础 敷金属
系统 和 渗氮 passivation
使确信 一个 坚毅的, 可依靠的 设备.
5965-8701e
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