ATMEGA163L-4AC_集成电路资料查询网

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atmega163(l)
1142e–avr–02/03
这 1,024 字节 数据 sram 能 是 容易地 accessed 通过 这 five 不同的 地址-
ing 模式 supported 在 这 avr architecture.
这 记忆 spaces 在 这 avr
architecture 是 所有 直线的 和 regular 记忆 maps.
一个 有伸缩性的 中断 单元 有 它的 控制 寄存器 在 这 i/o 空间 和 一个 额外的
global 中断 使能 位 在 这 状态 寄存器. 所有 中断 有 一个 独立的 中断
vector 在 这 中断 vector 表格 在 这 beginning 的 这 程序 记忆. 这 inter-
rupts 有 priority 在 一致 和 它们的 中断 vector 位置. 这 更小的 这
中断 vector 地址, 这 高等级的 这 priority.
图示 6.
记忆 maps
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程序 记忆
应用 flash 部分
激励 flash 部分

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9 atmega163(l) 1142e–avr–02/03 这 1,024 字节数据 sram 能是容易地 accessed 通过这 five 不同的地址- ing 模式 supported 在这 avr architecture. 这记忆 spaces 在这 avr architecture 是所有直线的和 regular 记忆 maps. 一个有伸缩性的中断单元有它的控制寄存器在这 i/o 空间和一个额外的 global 中断使能位在这状态寄存器. 所有中断有一个独立的中断 vector 在这中断 vector 表格在这 beginning 的这程序记忆. 这 inter- rupts 有 priority 在一致和它们的中断 vector 位置. 这更小的这中断 vector 地址, 这高等级的这 priority. 图示 6. 记忆 maps $0000 $1FFF 程序记忆应用 flash 部分激励 flash 部分

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