2002 十一月 12 5
飞利浦 半导体 初步的 规格
单独的 2-输入 和 门 74AUC1G08
直流 特性
在 推荐 运行 情况; 电压 是 关联 至 地 (地面 = 0 v).
便条
1. 所有 典型 值 是 量过的 在 t
amb
=25
°
c.
标识 参数
测试 情况 T
amb
(
°
c)
单位
其它 V
CC
(v)
−
40 至 +85
最小值 典型值
(1)
最大值
V
IH
高-水平的 输入
电压
0.8 V
CC
−−
V
1.1 至 2.3 0.65
×
V
CC
−−
V
2.3 至 2.7 1.7
−−
V
V
IL
低-水平的 输入
电压
0.8
−−
地 V
1.1 至 2.3
−−
0.35
×
V
CC
V
2.3 至 2.7
−−
0.7 V
V
OH
高-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
=
−
100
µ
一个 0.8 至 2.7 V
CC
−
0.1
−−
V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
=
−
700
µ
一个 0.8
−
0.55
−
V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
=
−
3 毫安 1.1 V
CC
−
0.3
−−
V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
=
−
5 毫安 1.5 V
CC
−
0.4
−−
V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
=
−
8 毫安 1.65 V
CC
−
0.45
−−
V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
=
−
9 毫安 2.3 1.8
−−
V
V
OL
低-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
= 100
µ
一个 0.8 至 2.7
−−
0.2 V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
= 700
µ
一个 0.8
−
0.25
−
V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
= 3 毫安 1.1
−−
0.3 V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
= 5 毫安 1.5
−−
0.4 V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
= 8 毫安 1.65
−−
0.45 V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
; i
O
= 9 毫安 2.3
−−
0.6 V
I
I
输入 泄漏
电流
V
I
=V
CC
或者 地 0 至 2.7
−±
0.1
±
5
µ
一个
I
止
电源 止
泄漏 电流
V
I
或者 V
O
= 2.7 V 0
−±
0.1
±
10
µ
一个
I
CC
安静的 供应
电流
V
I
=V
CC
或者 地; i
O
= 0 0.8 至 2.7
−
0.1 10
µ
一个
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