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m48t35ay, m48t35av
表格 7. 电源 向下/向上 trip 点 直流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70 °c 或者 –40 至 85 °c)
便条: 1. 所有 电压 关联 至 v
SS
.
2. caphat 和 m4t32-br12sh1 snaphat 仅有的, m4t28-br12sh1 snaphat 顶 t
DR
= 7 年 (典型值).
3. 使用 大 m4t32-br12sh6 snaphat 顶 (推荐 为 工业的 温度 范围 - 等级 6 设备).
表格 8. 电源 向下/向上 交流 特性
(t
一个
= 0 至 70 °c 或者 –40 至 85 °c)
便条: 1. V
PFD
(最大值) 至 v
PFD
(最小值) 下降 时间 的 较少 比 t
F
将 结果 在 deselection/写 保护 不 occurring 直到 200µs 之后 v
CC
通过-
es v
PFD
(最小值).
2. V
PFD
(最小值) 至 v
SS
下降 时间 的 较少 比 t
FB
将 导致 corruption 的 内存 数据.
3. t
REC
(最小值) = 20ms 为 工业的 温度 等级 6 设备.
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
PFD
电源-失败 deselect 电压
M48T35AY 4.2 4.35 4.5 V
M48T35AV 2.7 2.9 3.0 V
V
所以
电池 后面的-向上 switchover 电压
M48T35AY 3.0 V
M48T35AV
V
PFD
–100mV
V
t
DR
预期的 数据 保持 时间 (在 25°c)
等级 1
10
(2)
年
等级 6
10
(3)
年
标识 参数 最小值 最大值 单位
t
PD
E或者 w 在 v
IH
在之前 电源 向下
0µs
t
F
(1)
V
PFD
(最大值) 至 v
PFD
(最小值) v
CC
下降 时间
300 µs
t
FB
(2)
V
PFD
(最小值) 至 v
SS
V
CC
下降 时间
M48T35AY 10 µs
M48T35AV 150 µs
t
R
V
PFD
(最小值) 至 v
PFD
(最大值) v
CC
上升 时间
10 µs
t
RB
V
SS
至 v
PFD
(最小值) v
CC
上升 时间
1µs
t
REC
(3)
V
PFD
(最大值) 至 输入 公认的
40 200 ms
图示 5. 电源 向下/向上 模式 交流 波形
AI01168C
V
CC
输入
(每 控制 输入)
输出
don't 小心
高-z
tF
tFB
tR
tPD
tRB
tDR
有效的 有效的
(每 控制 输入)
RECOGNIZEDRECOGNIZED
V
PFD
(最大值)
V
PFD
(最小值)
V
所以
tREC
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