smart 3 先进的 激励 块
E
6
初步的
1.2 产品 overview
intel 提供 这 大多数 有伸缩性的 电压 解决方案 在
这 flash 工业, 供应 三 分离的 电压
供应 管脚: v
CC
为 读 运作, v
CCQ
为 输出
摆动, 和 v
PP
为 程序 和 擦掉 运作. 所有
smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆
产品 提供 程序/擦掉 能力 在 2.7 v
或者 12 v [for 快 生产 programming] 和 读
和 v
CC
在 2.7 v. 自从 许多 设计 读 从
这 flash 记忆 一个 大 percentage 的 这 时间,
2.7 vV
CC
运作 能 提供 substantial 电源
savings.
这 smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆
产品 是 有 在 也 x8 或者 x16 包装
在 这 下列的 densities: (看
订货 信息
为 有效性.)
•
4-mbit (4,194,304-位) flash 记忆 有组织的
作 256 kwords 的 16 位 各自 或者 512 kbytes 的
8-位 各自
•
8-mbit (8,388,608-位) flash 记忆 有组织的
作 512 kwords 的 16 位 各自 或者 1024 kbytes
的 8-位 各自
•
16-mbit (16,777,216-位) flash 记忆
有组织的 作 1024 kwords 的 16 位 各自 或者
2048 kbytes 的 8-位 各自
•
32-mbit (33,554,432-位) flash 记忆
有组织的 作 2048 kwords 的 16 位 各自 或者
4096 kbytes 的 8-位 各自
这 参数 blocks 是 located 在 也 这 顶
(denoted 用 -t 后缀) 或者 这 bottom (-b suffix) 的 这
地址 编排 在 顺序 至 accommodate 不同的
微处理器 protocols 为 kernel 代号 location.
这 upper 二 (或者 更小的 二) 参数 blocks 能
是 锁 至 提供 完全 代号 安全 为
系统 initialization code. locking 和 unlocking 是
控制 用 wp# (看 部分 3.3 为 详细信息).
这 command 用户 接口 (cui) serves 作 这
接口 在 这 微处理器 或者
微控制器 和 这 内部的 运作 的 这
flash 记忆. 这 内部的 写 状态 机器
(wsm) automatically executes 这 algorithms 和
timings 需要 为 程序 和 擦掉
行动, 包含 verification, 因此 un-
burdening 这 微处理器 或者 微控制器.
这 状态 寄存器 indicates 这 状态 的 这 wsm
用 signifying 块 擦掉 或者 文字 程序
completion 和 状态.
这 smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆 是
也 设计 和 一个 自动 电源 savings
(aps) 特性 这个 降低 系统 电流
流, 准许 为 非常 低 电源 设计. 这个
模式 是 entered 下列的 这 completion 的 一个 读
循环 (大概 300 ns 后来的).
这 rp# 管脚 提供 额外的 保护 相反
unwanted command 写 那 将 出现 在
系统 重置和 电源-向上/向下 sequences 预定的 至
invalid 系统 总线 情况 (看 部分 3.6).
部分 3.0 给 详细地 explanation 的 这
不同的 模式 的 运作. 完全 电流 和
电压 规格 能 是 建立 在 这
直流
特性
部分. 谈及 至
交流 特性
为 读, 程序 和 擦掉 效能
规格.
2.0 产品 描述
这个 部分 explains 设备 管脚 描述 和
包装 pinouts.
2.1 包装 pinouts
这 smart 3 先进的 激励 块 flash 记忆 是
有 在 40-含铅的 tsop (x8, 图示 1), 48-含铅的
tsop (x16, 图示 2) 和 48-球
µ
bga 包装
(x8 和 x16, 图示 3 和 图示 4 各自). 在
所有 计算数量, 管脚 改变 需要 为 密度
升级 有 被 circled.
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