TMS28F010B
131072 用 8-位
flash 记忆
smjs824b – 将 1995 – 修订 8月 1997
14
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
电的 特性 在 推荐 范围 的 供应 电压 和 运行 自由-空气
温度
参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
OH
高 水平的 输出 电压
I
OH
= – 2.5 毫安 2.4
VV
OH
高-水平的 输出voltage
I
OH
= – 100
µ
一个 V
CC
– 0.4
V
V
OL
低 水平的 输出 电压
I
OL
= 5.8 毫安 0.45
VV
OL
低-水平的 输出voltage
I
OL
= 100
µ
一个 0.1
V
I
ID
a9 algorithm-选择-模式 电流 a9 = v
ID
最大值 200
µ
一个
I
I
输入 电流 (泄漏)
所有 除了 a9 V
I
= 0 v 至 5.5 v
±
1
µ
AI
I
输入 电流 (泄漏)
A9 V
I
= 0 v 至 13 v
±
200
µ
一个
I
O
输出 电流 (泄漏) V
O
= 0 v 至 v
CC
±
10
µ
一个
I
PP1
V
PP
供应 电流 (读 /备用物品)
V
PP
= v
PPH
, 读 模式 200
µ
一个
I
PP1
V
PP
supply 电流 (读 /备用物品)
V
PP
= v
PPL
±
10
µ
一个
I
PP2
V
PP
供应 电流 (在 程序 脉冲波) V
PP
= v
PPH
30 毫安
I
PP3
V
PP
供应 电流 (在 flash 擦掉) V
PP
= v
PPH
30 毫安
I
PP4
V
PP
供应 电流 (在 程序 / 擦掉-核实)
(看 便条 4)
V
PP
= v
PPH
5.0 毫安
I
CCS
V
CC
供应 电流 (备用物品)
ttl-输入 水平的 V
CC
= 5.5 v, E= v
IH
1 毫安
I
CCS
V
CC
supply 电流 (备用物品)
cmos-输入 水平的 V
CC
=
5.5 v, E= v
CC
100
µ
一个
I
CC1
V
CC
供应 电流 (起作用的 读)
V
CC
= 5.5 v E= v
IL
,
f = 6 mhz, I
输出
= 0 毫安
30 毫安
I
CC2
V
CC
平均 供应 电流 (起作用的 写) (看 便条 4)
V
CC
= 5.5 v, E= v
IL
,
程序编制 在 progress
10 毫安
I
CC3
V
CC
平均 供应 电流 (flash 擦掉) (看 便条 4)
V
CC
= 5.5 v, E= v
IL
,
erasure 在 progress
15 毫安
I
CC4
V
CC
平均 供应 电流 (程序 / 擦掉-核实)
(看 便条 4)
V
CC
= 5.5 v, E= v
IL
,
V
PP
= v
PPH
,
程序/ 擦掉-核实 在 progress
15 毫安
V
LKO
V
CC
擦掉 / 写-lockout 电压 V
PP
= v
PPH
2.5 V
便条 4: 描绘 数据 有.
电容 在 推荐 范围 的 供应 电压 和 运行 自由-空气 温度,
f = 1 mhz
†
参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
C
i
输入 电容 V
I
= 0 v, f = 1 mhz 6 pF
C
o
输出 电容 V
O
= 0 v, f = 1 mhz 12 pF
†
电容 度量 是 制造 在 样本 基准 仅有的.
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