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资料编号:158092
 
资料名称:STB9NK60ZT4
 
文件大小: 581.75K
   
说明
 
介绍:
N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
 
 


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stp9nk60z / stp9nk60zfp / stb9nk60z / stb9nk60z-1
2/13
绝对 最大 比率
(
l
) 脉冲波 宽度 限制 用 safe 运行 范围
(1) i
SD
7a, di/dt
200
µ
一个, v
DD
V
(br)dss
, t
j
T
jmax.
(*) 限制 仅有的 用 最大 温度 允许
热的 数据
avalanche 特性
门-源 齐纳 二极管
保护 特性 的 门-至-源 齐纳 二极管
这 建造-在 后面的-至-后面的 齐纳 二极管 有 specifically 被 设计 至 增强 不 仅有的 这 设备的
静电释放 能力, 但是 也 至 制造 它们 safely absorb 可能 电压 过往旅客 那 将 occasionally 是
应用 从 门 至 souce. 在 这个 遵守 这 齐纳 电压 是 适合的 至 达到 一个 效率高的 和 费用-
有效的 intervention 至 保护 这 设备的 integrity. 这些 整体的 齐纳 二极管 因此 避免 这 用法
的 外部 组件.
标识 参数 单位
至-220 /
D
2
PAK/I
2
PAK
至-220fp
V
DS
流-源 电压 (v
GS
= 0)
600 V
V
DGR
流-门 电压 (r
GS
= 20 k
)
600 V
V
GS
门- 源 电压
± 30 V
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 25°c
7 7 (*) 一个
I
D
流 电流 (持续的) 在 t
C
= 100°c
4.4 4.4 (*) 一个
I
DM
(
l
)
流 电流 (搏动) 28 28 (*) 一个
P
TOT
总的 消耗 在 t
C
= 25°c
125 30 W
减额 因素 1 0.24 w/°c
V
静电释放(g-s)
门 源 静电释放(hbm-c=100pf, r=1.5k
Ω)
4000 V
dv/dt (1) 顶峰 二极管 恢复 电压 斜度 4.5 v/ns
V
ISO
绝缘 承受 电压 (直流) - 2500 V
T
j
T
stg
运行 接合面 温度
存储 温度
-55 至 150
-55 至 150
°C
°C
至-220
I
2
PAK
D
2
PAK
至-
220FP
rthj-情况 热的 阻抗 接合面-情况 最大值 1 4.16 °c/w
rthj-pcb
热的 阻抗 接合面-pcb 最大值
(当 挂载 在 最小 footprint)
30 °c/w
rthj-amb 热的 阻抗 接合面-包围的 最大值 62.5 °c/w
T
l
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的
300 °C
标识 参数 最大值 值 单位
I
AR
avalanche 电流, repetitive 或者 不-repetitive
(脉冲波 宽度 限制 用 t
j
最大值)
7A
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(开始 t
j
= 25 °c, i
D
= i
AR
, v
DD
= 50 v)
235 mJ
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
GSO
门-源 损坏
电压
igs=± 1ma (打开 流) 30 V
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