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资料编号:159007
 
资料名称:BA545AL
 
文件大小: 54.59K
   
说明
 
介绍:
Low-leakage diode
 
 


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1999 28 2
飞利浦 半导体 产品 规格
低-泄漏 二极管 BAS45AL
特性
持续的 反转 电压:
最大值 125 V
repetitive 顶峰 向前 电流:
最大值 625 毫安
低 反转 电流: 最大值 1 nA
切换 时间: 典型值 1.5
µ
s.
应用
低 泄漏 电流 产品.
描述
外延的 中等-速 切换 二极管 和 一个 低 泄漏 电流 在 一个 小
sod80c glass smd 包装.
图.1 simplified 外形 (sod80c) 和 标识.
handbook, 4 columns
MAM061
ka
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
RRM
repetitive 顶峰 反转 电压
125 V
V
R
持续的 反转 电压
125 V
I
F
持续的 向前 电流 便条 1; 看 图.2
250 毫安
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流
625 毫安
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 电流 正方形的 波; t
j
=25
°
c 较早的 至
surge; 看 图.4
t
p
=1
µ
s
4A
t
p
=1ms
1A
t
p
=1s
0.5 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
=25
°
c; 便条 1
400 mW
T
stg
存储 温度
65 +175
°
C
T
j
接合面 温度
175
°
C
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