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资料编号:16007
 
资料名称:AM28F256-120ECB
 
文件大小: 493.47K
   
说明
 
介绍:
256 Kilobit (32 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Am28F256 11
FLASHERASE
擦掉 sequence
擦掉 建制
擦掉 建制 是 这 第一 的 一个 二-循环 擦掉 command.
它 是 一个 command-仅有的 运作 那 stages 这 设备
为 大(量) 碎片 擦掉. 这 排列 内容 是 不 改变
和 这个 command. 20h 是 写 至 这 command reg-
这 第二 二-循环 擦掉 command initiates 这
大(量) 擦掉 运作. 你 必须 写 这 擦掉 com-
mand (20h) 又一次 至 这 寄存器. 这 擦掉 运作
begins 和 这 rising 边缘 的 这 we# 脉冲波. 这
擦掉 运作 必须 是 terminated 用 writing 一个 新
command (擦掉-核实) 至 这 寄存器.
这个 二 步伐 sequence 的 这 建制 和 擦掉 com-
mands helps 至 确保 那 记忆 内容 是 不
accidentally erased. 也, 碎片 erasure 能 仅有的 出现
当 高 电压 是 应用 至 这 v
PP
管脚 和 所有 con-
trol 管脚 是 在 它们的 恰当的 状态. 在 absence 的 这个 高
电压, 记忆 内容 不能 是 改变. 谈及 至
交流 擦掉 特性 和 波形 为 明确的
定时 参数.
便条:
这 flash 记忆 设备 必须 是 全部地
编写程序 至 00h 数据 较早的 至 erasure. 这个
equalizes 这 承担 在 所有 记忆 cells ensuring
可依靠的 erasure.
擦掉-核实 command
这 擦掉 运作 erases 所有 字节 的 这 排列
并行的. 之后 这 擦掉 运作, 所有 字节 必须 是
sequentially 核实. 这 擦掉-核实 运作 是 initi-
ated 用 writing a0h 至 这 寄存器. 这 字节 地址 至
是 核实 必须 是 有提供的 和 这 command. ad-
dresses 是 latched 在 这 下落 边缘 的 这 we#
脉冲波 或者 ce# 脉冲波, whichever occurs 后来的. 这 rising
边缘 的 这 we# 脉冲波 terminates 这 擦掉 运作.
余裕 核实
在 这 擦掉-核实 运作, 这 设备 应用
一个 内部 发生 余裕 电压 至 这
addressed 字节. 读 ffh 从 这 addressed 字节
indicates 那 所有 位 在 这 字节 是 合适的 erased.
核实 next 地址
你 必须 写 这 擦掉-核实 command 和 这 ap-
propriate 地址 至 这 寄存器 较早的 至 verification 的
各自 地址. 各自 新 地址 是 latched 在 这 下降-
ing 边缘 的 we# 或者 ce# 脉冲波, whichever occurs 后来的.
这 处理 持续 为 各自 字节 在 这 记忆
排列 直到 一个 字节 做 不 返回 ffh 数据 或者 所有 这
字节 在 这 排列 是 accessed 和 核实.
如果 一个 地址 是 不 核实 至 ffh 数据, 这 全部 碎片
是 erased 又一次 (谈及 至 擦掉 建制/擦掉). 擦掉
verification 然后 重新开始 在 这 地址 那 failed 至
核实. 擦掉 是 完全 当 所有 字节 在 这 排列
grammed. 在 这个 要点, 这 verification 运作 是 ter-
minated 用 writing 一个 有效的 command (e.g. 程序
建制) 至 这 command 寄存器. 图示 1 和 表格 4,
这 flasherase
电的 擦掉 algorithm, illustrate 如何
commands 和 总线 行动 是 联合的 至 每-
表格 电的 erasure. 谈及 至 交流 擦掉 characteris-
tics 和 波形 为 明确的 定时 参数.
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