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资料编号:160592
 
资料名称:BAS82
 
文件大小: 51.01K
   
说明
 
介绍:
Schottky Barrier Diodes
 
 


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bas81...bas83
vishay telefunken
rev. 3, 01-april-992 (4)
www.vishay.de
faxback +1-408-970-5600 文档 号码 85509
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0
2
4
6
8
10
12
14
25 50 75 100 125 150
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
15794
V
R
= 60 v
p – 反转 电源 消耗 ( mw )
R
540k/w
P
R
–Limit
@100%V
R
P
R
–Limit
@80%V
R
R
thJA
=
图示 1. 最大值 反转 电源 消耗 vs. 接合面
温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
25 50 75 100 125 150
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
25 50 75 100 125 150
T
j
– 接合面 温度 (
°
c )
15795
V
R
= v
RRM
m
i – 反转 电流 ( 一个 )
R
图示 2. 反转 电流 vs. 接合面 温度
0 0.5 1.0 1.5 2.0
i – 向前 电流 ( 一个 )
V
F
– 向前 电压 ( v )
15796
F
T
j
=25
°
C
T
j
= 150
°
C
0.1
1
10
100
1000
0.01
图示 3. 向前 电流 vs. 向前 电压
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.1 1.0 10.0 100.0
V
R
– 反转 电压 ( v )
15797
c – 二极管 电容 ( pf )
D
f=1MHz
图示 4. 二极管 电容 vs. 反转 电压
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