首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:160657
 
资料名称:BAS16LT1
 
文件大小: 50.59K
   
说明
 
介绍:
Switching Diode
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BAS16LT1的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 无线电 公司, 有限公司.
g2–1/2
1
3
2
切换 二极管
最大 比率
比率 标识 Value 单位
持续的 反转 电压 V
R
75 Vdc
顶峰 向前 电流 I
F
200 mAdc
顶峰 向前 surge 电流 I
fm(surge)
500 mAdc
设备 标记
bas16lt1 = a6
热的 特性
典型的 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr– 5 板, (1) P
D
225 mW
T
一个
减额 在之上 25°c 1.8 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
556 °c/w
总的 设备 消耗 P
D
300 mW
alumina 基质, (2) t
一个
= 25°c
减额 在之上 25°c 2.4 mw/°c
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
417 °c/w
接合面 和 存储 温度 T
J
, t
stg
–55 至 +150 °C
电的 特性
(t 一个 = 25°c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 最大值 单位
止 特性
反转 电压 泄漏 电流 I
R
µ
模数转换器
(v
R
= 75vdc) 1.0
(v
R
= 75 vdc, t
J
= 150°c) 50
(v
R
= 25 vdc, t
J
= 150°c) 30
反转 损坏 电压
V
(br)
75 Vdc
(i
BR
= 100
µ
模数转换器)
向前 电压 V
F
mV
(i
F
= 1.0 madc) 715
(i
F
= 10 madc) 855
(i
F
= 50 madc) 1000
(i
F
= 150 madc) 1250
二极管 电容
C
D
2.0 pF
(v
R
= 0, f = 1.0 mhz)
向前 恢复 电压
V
FR
–- 1.75 Vdc
(i
F
= 10 madc, t
r
= 20ns )
反转 恢复 时间
t
rr
6.0 ns
(i
F
= i
R
= 10 madc, r
L
= 50
)
贮存 承担
Q
S
—45pC
(i
F
= 10 madc 至 v
R
= 5.0vdc, r
L
= 500
)
1. fr–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
BAS16LT1
情况 318–08, 样式 8
sot–23 (to–236ab)
3
CATHODE
1
ANODE
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com