首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:160997
 
资料名称:BAV170T
 
文件大小: 55.06K
   
说明
 
介绍:
SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE
 
 


: 点此下载
  浏览型号BAV170T的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号BAV170T的Datasheet PDF文件第3页
3
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds30258 rev. 5 - 2 2 的 3 bas116t, baw156t, bav170t, bav199t
TCUDORPWEN
0
50
100
0 25 50 75 100 125 150
P , 电源 消耗 (mw)
D
T , 包围的 温度 (°c)
一个
Fig. 1 电源 减额 曲线
150
200
250
10
1.0
100
1000
0.1
0.01
012
I , INSTANTANEOUS 向前 电流 (毫安)
F
V , instantaneous 向前 电压 (v)
F
Fig. 2 typical 向前 特性
0.1
1
10
0
50
150
100
200
I , 反转 电流 (na)
R
T , 包围的 温度 ( )
一个
.3 Typical 反转 特性
°
C
V = 75V
R
电的 特性
@ t
一个
c 除非 否则 指定
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
反转 损坏 电压 (便条 2)
V
(br)r
85

V
I
R
= 100
一个
向前 电压 (便条 2)
V
F

0.90
1.0
1.1
1.25
V
I
F
= 1.0ma
I
F
= 10ma
I
F
= 50ma
I
F
= 150ma
泄漏 电流 (便条 2)
I
R

5.0
80
nA
nA
V
R
= 75v
V
R
= 75v, t
j
= 150
C
总的 电容
C
T
2
pF
V
R
= 0, f = 1.0mhz
反转 恢复 时间
t
rr

3.0
s
I
F
= i
R
= 10ma,
I
rr
= 0.1 x i
R
,r
L
= 100
注释: 2. 短的 持续时间 测试 脉冲波 使用 至 降低 自-加热 效应.
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.00 1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
T , 包围的 温度 (°c)
一个
V , 平均 向前 电压 (v)
f(ave)
Fig.4 typical 向前 Voltage vs 包围的 温度
i = 1ma
F
i = 10ma
F
i = 50ma
F
i = 150ma
F
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com