2 Am28F010
分钟 必需的 为 非易失存储器 erasure 使用 过激-violet
明亮的 是 eliminated.
commands 是 写 至 这 command 寄存器 使用
标准 微处理器 写 timings. 寄存器 con-
tents 提供 作 输入 至 一个 内部的 状态-机器
这个 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统.
在 写 循环, 这 command 寄存器 内部
latches 地址 和 数据 需要 为 这 程序编制
和 擦掉 行动. 为 系统 设计 simplifica-
tion, 这 am28f010 是 设计 至 支持 也 we#
或者 ce# 控制 写. during 一个 系统 写 循环,
地址 是 latched 在 这 下落 边缘 的 we# 或者
ce# whichever occurs last. 数据 是 latched 在 这 ris-
ing 边缘 的 we# 或者 ce# whichever occurs 第一. 至
使简化 这 下列的 discussion, 这 we# 管脚 是 使用
作 这 写 循环 控制 管脚 全部地 这 rest 的
这个 text. 所有 建制 和 支撑 时间 是 和 遵守 至
这 we# 信号.
amd’s flash 技术 结合 年 的 非易失存储器
和 可擦可编程只读存储器 experience 至 生产 这 最高的 水平
的 质量, 可靠性, 和 费用 成效. 这
am28f010 用电气 erases 所有 位 同时发生地
使用 fowler-nordheim tunneling. 这 字节 是 pro-
grammed 一个 字节 在 一个 时间 使用 这 非易失存储器 pro-
gramming mechanism 的 hot electron injection.
块 图解
产品 选择 手册
家族 部分 号码
Am28F010
速 选项 (v
CC
= 5.0 v
±
10%)
-70 -90 -120 -150 -200
最大值 进入 时间 (ns) 70 90 120 150 200
CE
#
(e
#
) 进入 (ns) 70 90 120 150 200
OE
#
(g
#
) 进入 (ns) 35 35 50 55 55
擦掉 电压
转变
输入/输出
缓存区
数据
获得
y-gating
1,048,576 位
cell 矩阵变换
x-解码器
y-解码器
地址 获得
碎片 使能
输出 使能
逻辑
程序
电压 转变
状态
控制
Command
寄存器
我们
#
CE
#
OE
#
A0–A16
DQ0–DQ7
V
CC
V
SS
11559h-1
低 v
CC
探测器
程序/擦掉
脉冲波 计时器
V
PP
至一个 r r一个y
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