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资料编号:161207
 
资料名称:BAV99
 
文件大小: 100.56K
   
说明
 
介绍:
Dual Series Switching Diode - Silicon epitaxial planar type
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号BAV99的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
) 挂载 在 p.c. 板 和 25 mm
2
铜 焊盘 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 25 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
2
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300 µs, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300 µs, schaltverhältnis
2%
1
2.5
最大值
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
Type
代号
1.9
BAV99 小 信号 si-二极管
表面 挂载 小 信号 翻倍-二极管
kleinsignal-doppel-dioden
für 消逝 oberflächenmontage
版本 2004-04-05
电源 消耗 – verlustleistung 310 mw
repetitive 顶峰 反转 电压 70 v
periodische spitzensperrspannung
塑料 情况 sot-23
Kunststoffgehäuse (至-236)
维度 / maße 在 mm
1 = a1 2 = k1/a2 3 = k2
标准 包装 带子系紧 和 卷盘
最大 比率 (t
一个
= 25°c) Grenzwerte
(t
一个
= 25°c)
每 二极管 / pro 二极管
BAV99
最大值 平均 向前 电流 (直流)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 毫安
1
)
repetitive 顶峰 向前 电流
periodischer spitzenstrom
I
FRM
300 毫安
1
)
stoßstrom-grenzwert
t
p
1 s
t
p
1 ms
t
p
1 µs
I
FSM
I
FSM
I
FSM
0.5 一个
1 一个
2 一个
repetitive 顶峰 反转 电压
periodische spitzensperrspannung
V
RRM
70 v
接合面 温度 – sperrschichttemperatur T
j
150°C
存储 温度 – lagerungstemperatur T
S
特性 (t
j
= 25°c) kennwerte (t
j
= 25°c)
2
)i
F
= 1 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 50 毫安
I
F
= 150 毫安
V
F
V
F
V
F
V
F
< 715 mv
< 855 mv
< 1.25 v
泄漏 电流 - sperrstrom
2
)v
R
= 25 v
V
R
= 70 v
T
j
= 25°c
I
R
I
R
< 30 na
2.5 µa
V
R
= 25 v
V
R
= 70 v
T
j
= 150°c
I
R
I
R
< 30 µa
< 50 µa
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