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资料编号:162336
 
资料名称:BC328-40
 
文件大小: 143.32K
   
说明
 
介绍:
Si-Epitaxial PlanarTransistors
 
 


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  浏览型号BC328-40的Datasheet PDF文件第1页
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2
 
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1
) 有效的, 如果 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 情况
gültig, wenn 消逝 anschlußdrähte 在 2 mm abstand von gehäuse auf umgebungstemperatur gehalten werden
3
01.11.2003
一般 目的 晶体管 bc 327 / bc 328
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
集电级-发射级 截止 电流 – kollektorreststrom
- v
CE
= 45 v bc 327 - i
CES
2 na 100 na
- v
CE
= 25 v bc 328 - i
CES
2 na 100 na
- v
CE
= 45 v, t
j
= 125
C bc 327 - i
CES
10
一个
- v
CE
= 25 v, t
j
= 125
C bc 328 - i
CES
10
一个
集电级-发射级 损坏 电压
集电级-发射级 durchbruchspannung
- i
C
= 10 毫安
bc 327 - v
(br)ces
20 v
bc 328 - v
(br)ces
45 v
- i
C
= 0.1 毫安
bc 327 - v
(br)ces
30 v
bc 328 - v
(br)ces
50 v
发射级-根基 损坏 电压
发射级-基准-durchbruchspannung
- i
E
= 0.1 毫安 - v
(br)eb0
5 v
集电级 饱和 volt. – kollektor-sättigungsspannung
- i
C
= 500 毫安, - i
B
= 50 毫安 - v
CEsat
0.7 v
根基-发射级 电压 –基准-发射级-spannung
- v
CE
= 1 v, - i
C
= 300 毫安 - v
1.2 v
增益-带宽 product – transitfrequenz
- v
CE
= 5 v, - i
C
= 10 毫安, f = 50 mhz f
T
100 mhz
集电级-根基 电容– kollektor-基准-kapazität
- v
CB
= 10 v, i
E
= i
e
= 0, f = 1 mhz C
CB0
12 pf
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
R
thA
200 k/w
1
)
推荐 complementary npn 晶体管
empfohlene komplementäre npn-transistoren
bc 337 / bc 338
有 电流 增益 groups 每 类型
lieferbare stromverstärkungsgruppen pro 典型值
bc 327-16
bc 328-16
bc 327-25
bc 328-25
bc327-40
bc328-40
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