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资料编号:162407
 
资料名称:BC317
 
文件大小: 228.49K
   
说明
 
介绍:
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
R
t hj- 一个mb
热的 Resistance 接合面-情况 最大值
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
200
500
o
c/w
o
c/w
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
Collect或者 截-止
电流 (i
E
=0)
BC107
V
CB
=40V
V
CB
=40V T
cas e
=150
o
C
BC108
V
CB
=20V
V
CB
=20V T
cas e
=150
o
C
15
15
15
15
nA
µ
一个
µ
一个
µ
一个
V
(br)cbo
Collect或者-Base
Breakdown Voltage
(ie = 0)
I
C
=10
µ
一个
BC107
BC108
50
30
V
V
V
(br)ceo
Collect或者-Emitter
Breakdown Voltage
(i
B
=0)
I
C
=10mA
BC107
BC108
45
20
V
V
V
(br)ebo
Emitter-根基
Breakdown Voltage
(i
C
=0)
I
E
=10
µ
一个
BC107
BC108
6
5
V
V
V
ce(sat)
Collect或者-Emitter
饱和 电压
I
C
=10mA I
B
=0.5ma
I
C
=100mA I
B
=5mA
70
200
250
600
mV
mV
V
是(s在)
根基-emitter
饱和 电压
I
C
=10mA I
B
=0.5ma
I
C
=100mA I
B
=5mA
750
950
mV
mV
V
是(在)
根基-emitter On
电压
I
C
=2mA V
CE
=5V
I
C
=10mA V
CE
=5V
550 650
700
700
770
mV
mV
h
FE
直流 电流 Gain I
C
=2mA V
CE
=5V
BC107
BC107
gr. 一个
BC107
gr. B
BC108
BC108
gr. 一个
BC108
gr. B
BC108
gr. C
I
C
=10
µ
AV
CE
=5V
BC107
BC107
gr. 一个
BC107
gr. B
BC108
BC108
gr. 一个
BC108
gr. B
BC108
gr. C
110
110
200
110
110
200
420
40
40
100
120
90
150
120
90
150
270
450
220
450
800
220
450
800
h
fe
Sm所有 信号 电流
增益
I
C
=2mA V
CE
=5V f=1KHz
BC107
BC107
gr. 一个
BC107
gr. B
BC108
BC108
gr. 一个
BC108
gr. B
BC108
gr. C
I
C
=10mA V
CE
= 10 V f = 100 MHz
250
190
300
370
190
300
500
2
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环
1%
bc107/bc108
2/6
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