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Pow erDi ssip 在io nv s
包围的 温度
0 25 50 75 100 125 150
0
100
200
300
400
500
600
700
TEMPER 在ure  (  c)
p   - power dissiPATI在 (mw)
D
o
至-92
典型 特性
(持续)
集电级-根基 电容
vs 集电级-根基 电压
0102030
0
10
20
30
40
v    - 集电级-根基 电压 (v)
c      - 集电级-根基 capacitance (pf)
OBO
CB
f = 1.0 mhz
增益 带宽 产品
vs 集电级 电流
1 10 100 1000
0
50
100
150
200
250
i    - 集电级 电流 (毫安)
f   - 增益 带宽 产品 (mhz)
T
C
v     = 10v
CE
Base-emitter在Voltagevs
CollectorCurrent
1 10 100 1000
0.2
0.4
0.6
0.8
1
i    - 集电级 电流  (毫安)
v         -根基-emitter 在 电压 (v)
是(o n)
C
v     = 5.0 v
CE
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
Base-emitter satura德州仪器在
电压 vs 集电级 电流
1 10 100 1000
0.4
0.6
0.8
1
I   - 集电级 电流 (毫安)
v        -根基-发射级 voltage (v)
BESAT
C
β
= 10
- 40
°
C
25
°
C
125
°
C
Collector-cut止Current
vs ambient tem每在 ure
25 50 75 100 125 150
0.1
1
10
10 0
T-AM BI EN TTE MPE RATU R e (  c )
i      - 集电级 电流 (na)
一个
V   = 2 0V
CB
°
CBO
pnp 一般 目的 放大器
(持续)
BC369

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Pow erDi ssip 在io nv s 包围的温度 0 25 50 75 100 125 150 0 100 200 300 400 500 600 700 TEMPER 在ure ( c) p - power dissiPATI在 (mw) D o 至-92 典型特性 (持续) 集电级-根基电容 vs 集电级-根基电压 0102030 0 10 20 30 40 v - 集电级-根基电压 (v) c - 集电级-根基 capacitance (pf) OBO CB f = 1.0 mhz 增益带宽产品 vs 集电级电流 1 10 100 1000 0 50 100 150 200 250 i - 集电级电流 (毫安) f - 增益带宽产品 (mhz) T C v = 10v CE Base-emitter在Voltagevs CollectorCurrent 1 10 100 1000 0.2 0.4 0.6 0.8 1 i - 集电级电流 (毫安) v -根基-emitter 在电压 (v) 是(o n) C v = 5.0 v CE - 40 ° C 25 ° C 125 ° C Base-emitter satura德州仪器在电压 vs 集电级电流 1 10 100 1000 0.4 0.6 0.8 1 I - 集电级电流 (毫安) v -根基-发射级 voltage (v) BESAT C β = 10 - 40 ° C 25 ° C 125 ° C Collector-cut止Current vs ambient tem每在 ure 25 50 75 100 125 150 0.1 1 10 10 0 T-AM BI EN TTE MPE RATU R e ( c ) i - 集电级电流 (na) 一个 V = 2 0V CB ° CBO pnp 一般目的放大器 (持续) BC369

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