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) 有效的, 如果 leads 是 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 2 mm 从 情况
gültig, wenn 消逝 anschlußdrähte 在 2 mm abstand von gehäuse auf umgebungstemperatur gehalten werden
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01.11.2003
一般 目的 晶体管 bc 546 ... bc 549
特性, t
j
= 25
C kennwerte, t
j
= 25
C
最小值 典型值 最大值
集电级 饱和 电压 – kollektor-sättigungsspannung
I
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安 V
CEsat
– 80 mv 200 mv
I
C
= 100 毫安, i
B
= 5 毫安 V
CEsat
– 200 mv 600 mv
根基 饱和 电压 – 基准-sättigungsspannung
I
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安 V
BEsat
– 700 mv –
I
C
= 100 毫安, i
B
= 5 毫安 V
BEsat
– 900 mv –
根基-发射级 电压 – 基准-发射级-spannung
V
CE
= 5 v, i
C
= 2 毫安 V
是
580 mv 660 mv 700 mv
V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安 V
是
– – 720 mv
集电级-发射级 截止 current – kollektorreststrom
V
CE
= 80 v bc 546 I
CES
– 0.2 na 15 na
V
CE
= 50 v bc 547 I
CES
– 0.2 na 15 na
V
CE
= 30 v bc 548 I
CES
– 0.2 na 15 na
V
CE
= 30 v bc 549 I
CES
– 0.2 na 15 na
集电级-发射级 截止 current – kollektorreststrom
V
CE
= 80 v, t
j
= 125
C bc 546 I
CES
––4
一个
V
CE
= 50 v, t
j
= 125
C bc 547 I
CES
––4
一个
V
CE
= 30 v, t
j
= 125
C bc 548 I
CES
––4
一个
V
CE
= 30 v, t
j
= 125
C bc 549 I
CES
––4
一个
增益-带宽 产品 – transitfrequenz
V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安, f = 100 mhz f
T
– 300 mhz –
集电级-根基 电容 – kollektor-基准-kapazität
V
CB
= 10 v, f = 1 mhz C
CB0
– 3.5 pf 6 pf
发射级-根基 电容 – 发射级-基准-kapazität
V
EB
= 0.5 v, f = 1 mhz C
EB0
– 9 pf –
噪音 图示 – rauschmaß
V
CE
= 5 v, i
C
= 200
一个 bc 547 F – 2 db 10 db
R
G
= 2 k
f = 1 khz, bc 548 F – 1.2 db 4 db
f = 200 hz bc 549 F – 1.2 db 4 db
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
R
thA
250 k/w
1
)
推荐 complementary pnp 晶体管
empfohlene komplementäre pnp-transistoren
bc 556 ... bc 559
有 电流 增益 groups 每 类型
lieferbare stromverstärkungsgruppen pro 典型值
bc 546a
bc 547a
bc 548a
bc 546b
bc 547b
bc 548b
bc 549b
bc 547c
bc 548c
bc 549c
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