1
) 测试 和 脉冲 t
p
= 300
s, 职责 循环
2% – gemessen mit impulsen t
p
= 300
s, schaltverhältnis
2%
2
) 挂载 在 p.c. 板 和 3 mm
2
铜 垫子 在 各自 终端
montage auf leiterplatte mit 3 mm
2
kupferbelag (lötpad) 一个 jedem anschluß
13
01.11.2003
一般 目的 晶体管 bc 846w ... bc 850w
特性 (t
j
= 25
c) kennwerte (t
j
= 25
c)
最小值 典型值 最大值
集电级 饱和 volt. – kollektor-sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安 V
CEsat
– 90 mv 250 mv
I
C
= 100 毫安, i
B
= 5 毫安 V
CEsat
– 200 mv 600 mv
根基 饱和 电压 – 基准-sättigungsspannung
1
)
I
C
= 10 毫安, i
B
= 0.5 毫安 V
BEsat
– 700 mv –
I
C
= 100 毫安, i
B
= 5 毫安 V
BEsat
– 900 mv –
根基-发射级 电压 – 基准-发射级-spannung
1
)
V
CE
= 5 v, i
C
= 2 毫安 V
BEon
580 mv 660 mv 700 mv
V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安 V
BEon
– – 770 mv
集电级-根基 截止 电流 – kollektorreststrom
I
E
= 0, v
CB
= 30 v I
CB0
– – 15 na
I
E
= 0, v
CB
= 30 v, t
j
= 150
CI
CB0
––5
一个
发射级-根基 截止 电流 – emitterreststrom
I
C
= 0, v
EB
= 5 v I
EB0
– – 100 na
增益-带宽 产品 – transitfrequenz
V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安, f = 100 mhz f
T
100 mhz –
集电级-根基 电容 – kollektor-基准-kapazität
V
CB
= 10 v, i
E
= i
e
= 0, f = 1 mhz C
CB0
– 3.5 pf 6 pf
发射级-根基 电容 – 发射级-基准-kapazität
V
EB
= 0.5 v, i
C
= i
c
= 0, f = 1 mhz C
EB0
– 9 pf –
噪音 图示 – rauschzahl
V
CE
= 5 v, i
C
= 200
一个
R
G
= 2 k
, f = 1 khz,
f = 200 hz
bc 846w...
bc 848w
F – 2 db 10 db
bc 849w...
bc 850w
F 1.2 db 4 db
V
CE
= 5 v, i
C
= 200
一个
R
G
= 2 k
, f = 1 khz,
f = 30 ... 15000 hz
bc 849w
F
– 1.4 db 4 db
bc 850w F
– 1.4 db 4 db
热的 阻抗 接合面 至 包围的 空气
wärmewiderstand sperrschicht – umgebende luft
R
thA
620 k/w
2
)
推荐 complementary pnp 晶体管
empfohlene komplementäre pnp-transistoren
bc 856w ... bc 860w
标记 的 有 电流 增益
groups 每 类型
stempelung der lieferbaren strom-
verstärkungsgruppen pro 典型值
bc 846aw = 1a bc 846bw = 1b
bc 847aw = 1e bc 847bw = 1f bc 847cw = 1g
bc 848aw = 1j bc 848bw = 1k bc 848cw = 1l
bc 849bw = 2b bc 849cw = 2c
bc 850bw = 2f bc 850cw = 2g
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