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资料编号:163146
资料名称:
BC817-40W
文件大小: 90.07K
说明
:
介绍
:
NPN Silicon AF Transistor (For general AF applications High collector current High current gain)
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bc817w, bc818w
5
十一月-29-2001
直流 电流 增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 1v
10
EHP00224
bc 817/818
-1
3
10mA
0
10
3
10
5
5
10
0
10
1
10
1
C
FE
h
Ι
2
10
2
10
˚
C
100
5
25
˚
C
-50
˚
C
转变 频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 5v
10
ehp00218bc 817/818
03
10mA
1
10
3
10
5
5
10
1
10
2
10
2
C
T
f
MHz
Ι
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
CEsat
),
h
FE
= 10
0
10
EHP00215
CEsat
V
0.4
V
0.8
-1
10
0
10
1
3
10
5
5
Ι
C
毫安
5
2
10
0.2
0.6
-50
25
150
˚
C
˚
C
˚
C
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
f
(
V
BEsat
),
h
FE
= 10
0
10
ehp00222bc 817/818
BEsat
V
2.0
V
4.0
-1
10
0
10
1
3
10
5
5
Ι
C
毫安
5
2
10
1.0
3.0
˚
C
-50
25
˚
C
˚
C
150
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