2002 十一月 22 3
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 一般 目的 翻倍 晶体管 BC817DS
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板; 单独的 sided 铜; tinplated; 挂载 垫子 为 集电级 1 cm
2
.
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 specified.
注释
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
2. V
是
减少 用 大概
−
2 mv/k 和 增加 温度.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至
包围的
便条 1 208 k/w
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
每 晶体管
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
= 20 v; i
E
=0
−−
100 nA
V
CB
= 20 v; i
E
= 0; t
j
= 150
°
C
−−
5
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=5v; i
C
=0
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=1v; i
C
= 100 毫安; 便条 1 160
−
400
V
CE
=1v; i
C
= 500 毫安; 便条 1 40
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 500 毫安; i
B
= 50 毫安; 便条 1
−−
700 mV
V
是
根基-发射级 电压 V
CE
=1v; i
C
= 500 毫安;
注释 1 和 2
−−
1.2 V
C
c
集电级 电容 V
CB
= 10 v; i
E
=I
e
= 0; f = 1 MHz
−
5
−
pF
f
T
转变 频率 V
CE
=5v; i
C
= 10 毫安;
f = 100 MHz
100
−−
MHz