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资料编号:163587
 
资料名称:BCP53T1
 
文件大小: 76.21K
   
说明
 
介绍:
MEDIUM POWER PNP SILICON HIGH CURRENT TRANSISTOR SURFACE MOUNT
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BCP53T1
2
motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
特性
标识 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
集电级-根基 损坏 电压 (i
C
= –100
µ
模数转换器, i
E
= 0) V
(br)cbo
–100 Vdc
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= –1.0 madc, i
B
= 0) V
(br)ceo
80 Vdc
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= –100
µ
模数转换器, r
= 1.0 kohm) V
(br)cer
–100 Vdc
发射级-根基 损坏 电压 (i
E
= –10
µ
模数转换器, i
C
= 0) V
(br)ebo
5.0 Vdc
集电级-根基 截止 电流 (v
CB
= –30 vdc, i
E
= 0) I
CBO
–100 nAdc
发射级-根基 截止 电流 (v
EB
= –5.0 vdc, i
C
= 0) I
EBO
–10
µ
模数转换器
在 特性
直流 电流 增益
(i
C
= –5.0 madc, v
CE
= –2.0 vdc)
(i
C
= –150 madc, v
CE
= –2.0 vdc)
(i
C
= –500 madc, v
CE
= –2.0 vdc)
h
FE
25
40
25
250
集电级-发射级 饱和 电压 (i
C
= –500 madc, i
B
= –50 madc) V
ce(sat)
0.5 Vdc
根基-发射级 在 电压 (i
C
= –500 madc, v
CE
= –2.0 vdc) V
是(在)
–1.0 Vdc
动态 特性
电流-增益 — 带宽 产品
(i
C
= –10 madc, v
CE
= –5.0 vdc, f = 35 mhz)
f
T
50 MHz
典型 电的 特性
500
200
100
50
20
1 3 5 10 30 50 100 300 500 1000
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
h , 直流 电流 增益
FE
图示 1. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
f , 电流 增益 带宽 产品 (mhz)
T
图示 2. 电流 增益 带宽 产品
1000
1 10 100
500
300
100
20
50
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
v, 电压 (伏特)
图示 3. 饱和 和 “on” 电压
1000
1
1
0.8
0.6
0.4
0
0.2
10010
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
2018161412108642
0
v, 电压 (伏特)
图示 4. capacitances
c, 电容 (pf)
V
CE
= 2 v
V
CE
= 2 v
V
(是)sat
@ i
C
/i
B
= 10
V
(是)在
@ v
CE
= 2 v
V
(ce)sat
@ i
C
/i
B
= 10
C
ib
C
ob
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